Dyfrakcja rentgenowska (XRD) w analizie fazowej Wykład 4 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. XRD 3 Metoda Lauego Metoda obracanego monokryształu. Metoda DSH. Porównanie techniki filmowej i dyfraktometrii rentgenowskiej. Analiza wyników pomiarów rentgenowskich, intensywność refleksów. Reguły wygaszeń. Gęstość rentgenowska. Parametry pomiarowe i przygotowanie próbek do badań metodą DSH. Analiza fazowa jakościowa. 1/27 Metody rentgenowskie parametry materiał badany promieniowanie położenie próbki Metoda Lauego monokryształ polichromatyczne Obracanego monokryształu monokryształ monochromatyczne zmienne DSH substancja polikrystaliczna monochromatyczne zmienne XRD 3 stałe 2/27 Schemat pomiaru metodą Laue`go: a) w metodzie promieni przechodzących;b) w metodzie promieni zwrotnych Typy obrazów Laue`go XRD 3 3/27 Zastosowanie metody Lauego: - określanie orientacji kryształów, - określanie symetrii kryształów (klasa symetrii Lauego), - rozróżnianie próbek monokrystalicznych, bliźniaków oraz zespołów ziarn krystalicznych, - badanie defektów sieciowych. Lp. Układ krystalograficzny 1 trójskośny 2 jednoskośny 3 ortorombowy 4 tetragonalny 5 tetragonalny 6 heksagonalny 7 heksagonalny 8 heksagonalny 9 heksagonalny 10 regularny 11 regularny XRD 3 Grupy punktowe Symbol klasy tworzące klasę dyfrakc. dyfrakcyjnej 1,1 1 2/m, 2, m 2/m mmm, 222, mm2 mmm 4/m 4/m, 4,4 4/mmm 4/mmm, 422, 4mm,42m 3,3 3 3m, 32,3m 3m 6/m 6/m, 6,6 6/mmm 6/mmm, 622, 6mm,62m m3, 23, m3 m3 m, 432, 43m m3 m Możliwe obrazy Lauego 1 2, m, 1 2mm,, m, 1 4, m, 1 4mm, 2mm, m, 1 3, 1 3m, 2, m, 1 6, m,1 6mm, 2mm, m, 1 3, 2mm, m, 1 4mm, 3m, 2mm, m, 1 4/27 Schemat metody obracanego kryształu Rentgenogramy otrzymywane w metodzie obracanego kryształu dla: a) błony filmowej w kształcie walca, równoległej do osi obrotu; b) płaskiej błony filmowej prostopadłej do osi obrotu XRD 3 5/25 Stożki interferencyjne i odległości międzywarstwicowe w metodzie obracanego monokryształu XRD 3 6/26 koła i - ustawienie kryształu w stosunku do układu odniesienia dyfraktometru koło - ustawienie płaszczyzny sieciowej próbki pod wymaganym kątem (odpowiadającym kątowi ) w odniesieniu do wiązki padającej koło 2 - porusza się po nim licznik, rejestrujący pod kątem 2 wiązkę ugiętą osie kół i 2 pokrywają się, ale obydwa koła stanowią niezależne mechanicznie układy Goniometr czterokołowy o geometrii Eulera XRD 3 próbka znajduje się dokładnie w miejscu przecięcia się osi wszystkich czterech kół , , i 2. 7/27 Metoda DSH – metoda proszkowa (Debye’a – Scherrera-Hulla) XRD 3 8/27 Schemat budowy dyfraktometru rentgenowskiego XRD 3 9/27 Czynniki wpływające na przebieg rentgenogramu proszkowego: 1. efekty strukturalne (teksturyzacja próbki), 2. efekty związane z wielkością ziaren minerałów, 3. efekty związane z tzw. błędami ułożenia (np. przesunięcie warstw sieci krystalicznej), 4. efekty związane z niepełnym uporządkowaniem struktury kryształu (brak uporządkowania w jednym z kierunków krystalograficznych), 5. istnienie naprężeń w krysztale. XRD 3 10/27 Wielkość ziaren: 1. powyżej 0,01 mm; refleksy bardzo ostre, zmniejsza się ich intensywność, przy większych rozmiarach niektóre refleksy mogą zaniknąć, pojawia się dodatkowo problem przygotowania równej, gładkiej powierzchni próbki i często efekt teksturyzacji, 2. optymalna 0,01 – 0,0005 mm; refleksy są ostre, wyraźne, nie zlewają się, 3. poniżej 0,0005 mm; refleksy są szerokie, spłaszczone, zlewają się ze sobą, 4. poniżej 0,00001 mm (100 Å); brak wyraźnych refleksów (rozmyte „halo”). XRD 3 11/27 Porównanie techniki filmowej i dyfraktometrii (techniki licznikowej) Zalety dyfraktometrii: 1. łatwość i duża dokładność pomiaru intensywności refleksów, 2. krótszy czas rejestracji rentgenogramów, 3. lepsza rozdzielczość kątowa, 4. możliwość rejestracji refleksów niskokątowych, 5. możliwość bezpośredniego badania profilu linii, 6. możliwość rejestracji dowolnie wybranych fragmentów rentgenogramu, 7. możliwość dowolnego doboru parametrów rejestracji widma np. zwiększenie dokładności kosztem zwiększenia czasu pomiaru, 8. możliwość rejestracji numerycznej i komputerowej obróbki danych, 9. możliwość wielokrotnego pomiaru tej samej próbki np. w różnych warunkach temperaturowych. XRD 3 12/27 Intensity (counts) 144 100 64 36 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 2Theta (°) Rentgenogram substancji amorficznej - brak wyraźnych refleksów na rentgenogramie, - obecność tzw. amorficznego „halo”, - intensywność maksymalna kilka – kilkadziesiąt razy mniejsza niż w przypadku rentgenogramu próbek krystalicznych, - wysoki poziom „szumów” tła w stosunku do intensywności maksymalnej. XRD 3 13/27 Intensity (counts) 1 44 1 00 64 36 10 15 20 25 30 35 40 45 50 5 5 2T h et a 60 (° ) Intensity (counts) Rentgenogram substancji amorficznej 1500 1000 500 0 20 XRD 3 25 30 35 40 45 50 Rentgenogram substancji krystalicznej 55 60 65 2Theta (°) 14/27 WIĄZKA UGIĘTA PROMIENI X XRD 3 Kierunek rozchodzenia się Natężenie wiązki ugiętej Symetria i rozmiary komórki elementarnej Rodzaj i ułożenie atomów w komórce elementarnej 15/27 Natężenie wiązki promieni rentgenowskich odbitych od płaszczyzny (hkl) Ihkl = Io . l3 . N2 . C . Fhkl2 . T . A . PL . p(hkl) Ihkl Io l N C Fhkl T A PL p(hkl) XRD 3 - natężenie wiązki - natężenie wiązki pierwotnej - długość fali - liczba komórek elementarnych w 1 cm2 - czynnik uwzględniająca ładunek, masę i odległość elektronu od punktu pomiaru natężenia - czynnik struktury - czynnik temperaturowy - absorpcja - czynnik polaryzacji promieniowania i Lorentza - liczebność odbijającej płaszczyzny 16/27 Fhkl = fn e in fn - czynnik atomowy n-tego atomu w komórce n - kąt fazowy promieniowania rozproszonego od n-tego atomu n = 2p ( h xn+ k yn+ l zn ) e in = cos n + i sin n Fhkl = fn cos2p ( h xn+ k yn+ l zn ) Dla komórek typu P, obsadzonych jednym typem atomów w pozycji 0,0,0: Fhkl = fn cos2p ( h . 0 + k . 0+ l . 0 ) = fn Dla komórek typu J, obsadzonych jednym typem atomów w pozycjach 0,0,0 oraz 1/2,1/2,1/2: Fhkl = fn cos2p ( h . 0 + k . 0+ l . 0 ) + fn cos2p ( h/2 + k/2+ l/2 ) = = fn [1+cosp (h+k+l)] dla h+k+l=2n (parzyste) Fhkl=2 fn dla h+k+l=2n+1 (nieparzyste) Fhkl=0 XRD 3 17/27 Dla komórek typu F (jeden typ atomów) w pozycjach 0,0,0; 1/2,1/2,0; 1/2,0,1/2; 0,1/2,1/2: Fhkl = fn [1+ cosp ( h + k ) + cosp ( h+ l ) + cosp ( k+ l )] dla h+k+l wszystkie parzyste lub nieparzyste Fhkl=4 fn dla h+k+l mieszane Fhkl=0 Dla komórek typu P z dwoma typami atomów, w pozycjach 0,0,0 oraz 1/2,1/2,1/2: Fhkl = fn1 cos2p ( h . 0 + k . 0+ l . 0 ) + fn2 cos2p ( h/2 + k/2+ l/2 ) = = fn1 + fn2 cosp ( h + k + l ) dla h+k+l=2n (parzyste) Fhkl= fn1 + fn2 dla h+k+l=2n+1 (nieparzyste) Fhkl= fn1 - fn2 XRD 3 18/27 Wygaszenia systematyczne: ogólne (integralne); występują w sieciach o komórkach centrowanych, dotyczą refleksów pochodzących od wszystkich płaszczyzn sieciowych (hkl), seryjne; związane są z obecnością w sieci osi śrubowych dotyczą refleksów pochodzących od płaszczyzn sieciowych prostopadłych do osi śrubowej, dotyczą refleksów typu (h00), (0k0), (00l) lub (hh0), pasowe; dotyczą refleksów powstających w wyniku odbicia wiązki rentgenowskiej od płaszczyzn sieciowych należących do jednego pasa płaszczyzn, oś pasa jest prostopadła do danej płaszczyzny poślizgu, dotyczą refleksów typu (hk0), (0kl), (h0l), (hhl). XRD 3 19/27 XRD 3 20/27 XRD 3 21/27 XRD 3 22/27 Niektóre reguły wygaszeń pasowych Układ krystalograficzny XRD 3 Płaszczyzna poślizgu i jej kierunek Składowa translacji Typ sieci Typ refleksu Występuje, gdy... P, A, I P, A, C h0l h0l h = 2n l = 2n Jednoskośny, ortorombowy, tetragonalny, regularny a (010) c (010) x / 2 z / 2 Ortorombowy, tetragonalny, regularny n (010) (x + z) / 2 P h0l h + l = 2n Ortorombowy, regularny d (010) (x + z) / 4 F, B h0l h + l = 4n Ortorombowy, tetragonalny, regularny b (100) c (100) n (100) 0kl 0kl 0kl k = 2n l = 2n k + l = 2n Ortorombowy, regularny d (100) (y + z) / 4 F 0kl k + l = 4n Ortorombowy, tetragonalny, regularny a (001) b (001) n (001) x / 2 y / 2 (x + y) / 2 P, B, I P, A, B F 0kl 0kl 0kl k = 2n l = 2n k + l = 2n Ortorombowy, regularny d (001) (x + y) / 4 F hk0 h + k = 2n P, B, C y / 2 P, C, I z / 2 P (y + z) / 2 23/27 GĘSTOŚĆ RENTGENOWSKA 3 A Z 24 R 1,6602 10 g / cm V A – ciężar cząsteczkowy [g/mol] Z – liczba formuł w komórce elementarnej V - objętość komórki elementarnej 1,6602 .10 –24 - jednostka masy atomowej V abc 1 2 cos cos cos cos 2 cos 2 cos 2 XRD 3 24/27 Identyfikacja fazowa (jakościowa) substancji Etapy pracy: 1. Wykonanie pomiaru metodą proszkową (przy odpowiednio dobranych parametrach). 2. Odczytanie kątów ugięcia i przeliczenie ich na wartości dhkl, korzystając z wzoru Bragga (przyjmując znaną wartość długości fali i n=1). 3. Oszacowanie intensywności względnych. 4. Porównanie wartości dhkl obliczonych z tablicowymi, zaczynając od wartości odpowiadającej refleksowi o największej intensywności – identyfikacja fazy. BAZY DANYCH: ASTM (American Society for Testing Materials), JCPDS – ICDD (Join Committee for Powder Diffraction Standards – International Centre For Diffraction Data). Sposoby korzystania z kart identyfikacyjnych: skorowidz alfabetyczny, skorowidz liczbowy (Hanawalta), skorowidz Finka, obecnie – komputerowe bazy danych. XRD 3 25/27 Wavelength = 1.5405 14-0696 BPO4 Boron Phosphate d-sp: Guinier 114.6 Filter l: 1.5405 Rad.: CuK1 I/Icor.: 3.80 Int.: Film Cut off: Ref: De WolFF. Technisch Physische Dienst. Delft The Netherlands. ICDD Grant-In-Aid S.G. I4 (82) A: c: 6.645 Z: 2 Sys.: Tetragonal b: a: 4.338 : : C: 1.5318 mp: Ref: Ibid Dx: 2.809 Dm: SS/FOM:F 18=89(.0102 . 20) PSC: tI12. To replace 1-519. Deleted by 34-0132. Volume [CD]: 125.05 Mwt: 105.78 d (Å) Int h k l 3.632 100 1 0 1 3.322 3.067 2.254 1.973 4 4 30 2 0 1 1 1 0 1 1 0 2 0 2 3 1.862 1.816 1.661 1.534 1.460 1.413 1.393 1.372 8 4 1 2 8 1 1 2 2 2 0 2 2 3 2 3 1 0 0 2 1 0 2 1 1 2 4 0 3 1 2 0 1.319 1.271 1.268 4 1 2 2 1 3 0 0 1 4 5 2 1.211 1.184 2 2 3 3 0 2 3 1 2002 JCPDS-International Centre for Diffraction Data. All rights reserved. PCPDFWIN v.2.3 XRD 3 26/27 XRD 3 27/27