DETEKTORY i NADAJNIKI OPTOELEKTRONICZNE
advertisement
„Program rozwojowy Politechniki Koszalińskiej w zakresie przybliżenia kształcenia do potrzeb rynku pracy i gospodarki opartej na wiedzy”. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską z Europejskiego Funduszu Społecznego. ______________________________________________________________________________________________ DETEKTORY i NADAJNIKI OPTOELEKTRONICZNE Skrypt dla studentów Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej Specjalność - OPTOELEKTRONIKA Dr inż. Leszek Bychto Prof. dr hab. Aleksy Patryn Koszalin 2010 1 Zawartość 1 Nadajniki optyczne – lasery półprzewodnikowe ............................................................................ 4 1.1 Rekombinacja i procesy z nią związane ................................................................................... 4 1.2 Emisja spontaniczna i wymuszona. Inwersja obsadzeń .......................................................... 7 1.3 Diagram pasmowy półprzewodnika. Półprzewodniki z prostą i skośną przerwą energetyczną 11 1.4 Dioda LED – źródło promieniowania sterowane prądem ..................................................... 14 1.5 Laser półprzewodnikowy....................................................................................................... 17 1.6 Widmo promieniowania lasera, warunki generacji laserowej .............................................. 20 1.7 Szerokość linii widmowych, kształt krzywej wzmocnienia .................................................... 21 1.8 Efekt nasycenia wzmocnienia................................................................................................ 24 1.9 Typy laserów półprzewodnikowych ...................................................................................... 26 1.10 Materiały półprzewodnikowe do wytwarzania źródeł promieniowania .............................. 30 1.11 Laser jako nadajnik optyczny – modulacja wiązki optycznej................................................. 32 2 Detektory promieniowania optycznego ....................................................................................... 40 3 Podstawowe parametry detektorów ............................................................................................ 40 4 Detektory fotoprzewodzące (fotorezystory). ................................................................................ 43 5 4.1 Fotorezystory do detekcji promieniowania X i γ. .................................................................. 43 4.2 Fotorezystory na zakres UV. .................................................................................................. 44 4.3 Fotorezystory na zakres widzialny i NIR. ............................................................................... 44 4.4 Fotorezystory na podczerwień. ............................................................................................. 45 4.5 Parametry fotorezystorów. ................................................................................................... 46 Detektory fotowoltaiczne. ............................................................................................................. 53 5.1 6 Fotodioda .............................................................................................................................. 53 5.1.1 Budowa fotodiody p-n. .................................................................................................. 53 5.1.2 Praca w trybie fotowoltaicznym .................................................................................... 54 5.1.3 Praca w trybie fotoprzewodnictwa ............................................................................... 57 5.2 Fotodioda p-i-n ...................................................................................................................... 60 5.3 Fotodioda Schottky’ego......................................................................................................... 61 5.4 Fotodioda lawinowa .............................................................................................................. 62 5.5 Fototranzystor ....................................................................................................................... 62 5.6 Fotoogniwo............................................................................................................................ 63 5.7 Detektory z supersieci i studni kwantowych. ........................................................................ 63 Detektory fotoemisyjne................................................................................................................. 64 2 7 6.1 Fotopowielacz........................................................................................................................ 64 6.2 Lampowy wzmacniacz obrazu ............................................................................................... 65 Detektory termiczne...................................................................................................................... 68 7.1 Detektory z termoparą. ......................................................................................................... 70 7.2 Detektory piroelektryczne. .................................................................................................... 71 7.3 Bolometry. ............................................................................................................................. 73 7.3.1 Bolometry metalowe. .................................................................................................... 75 7.3.2 Bolometry półprzewodnikowe. ..................................................................................... 75 7.3.3 Bolometry termistorowe. .............................................................................................. 76 7.3.4 Bolometry kompozytowe. ............................................................................................ 76 7.3.5 Bolometry nadprzewodzące. ......................................................................................... 76 7.4 8 Komórka Golaya. ................................................................................................................... 77 Bibliografia..................................................................................................................................... 79 Niniejszy skrypt został przygotowany przez: prof. dr hab. Aleksego Patryna – Część I Lasery półprzewodnikowe i nadajniki optyczne (str. 4-32) dr inż. Leszka Bychto - Część II – Detektory promieniowania optycznego (str. 40-78) 3 1 Nadajniki optyczne – lasery półprzewodnikowe Pierwsze badania dotyczące wzmocnienia światła zapoczątkował w 1917 roku Albert Einstein. Natomiast 40 lat później (1960r.)został zbudowany pierwszy laser – laser rubinowy przez Teodora Maimana. Ten sam rok przyniósł kolejny laser helowo-neonowy, który został skonstruowany przez trójkę fizyków (A.Javan, W.R. Bennet i D.R. Herriott). W roku 1964 za prace fundamentalne które pozwoliły zbudować pierwsze lasery amerykański fizyk Charles Townes oraz radzieccy Nikolaj Basov i Aleksander Prochorov otrzymali nagrodę Nobla, w roku 1962 był zbudowany pierwszy laser półprzewodnikowy, a w roku 2000 za lasery telekomunikacyjne (heterolasery) nagroda Nobla była wreczona Zhoresovy Alferovowi (Rosja). Zastosowanie laserów ciągle się poszerza, sama technika laserowa w szybki sposób się rozwija na świecie, gdzie niedawno jeszcze technika ta była dostępna tylko dla militariów czy też pojawiała się w filmach science fiction. Obecnie lasery możemy spotkać w każdej dziedzinie naszego życia. Lasery możemy znaleźć w przemyśle telekomunikacyjnym, medycznym, militarnym ale także w urządzeniach codziennego użytku takich jak odtwarzacze CD, czytniki kodów paskowych czy też wskaźniki laserowe. Lasery są rozwijane bardzo dynamicznie, a zwłaszcza lasery półprzewodnikowe. Laser półprzewodnikowy jest przyrządem półprzewodnikowym ze które posiada złącze p-n, ewentualnie bardziej złożone. W zależności od materiału tego złącza może emitować w bliskiej podczerwieni i widzialnym. W wyniku zachodzącej w obszarze złącza rekombinacji promienistej emitowane są fotony o energii odpowiadającej (w przybliżeniu) wartości energii przerwy zabronionej. Lasery jako nadajniki optyczne wyjątkowo szeroko są wykorzystywane w telekomunikacji optycznej (światłowodowej), w systemach zapisu optycznego, w systemach zdalnej diagnostyki obiektów, w tym systemach optycznego monitoringu środowiska. Lasery jako nadajniki optyczne są jednym z najważniejszych przyrządów optoelektronicznych. 1.1 Rekombinacja i procesy z nią związane 4 Rekombinacja jest procesem łączenia się w pary cząstek o przeciwnych ładunkach elektrycznych, oba nośniki wzajemnie się zatracają i znikają. W procesie tym zostaje wyzwolona energia, która równa jest różnicy początkowego stanu elektronu i końcowym stanem elektronu. Możemy dokonać klasyfikacji procesów rekombinacji: Rekombinacja promienista : rekombinacja pułapkowa, pasmo-pasmo, poprzez głębokie poziomy, przejścia akscytonowe, gdzie energia emitowana jest w formie fotonu Rekombinacja niepromienista : rekombinacja powierzchniowa, rekombinacja na defektach, efekt Augera, emisja wielotonowa, gdzie uwalniana energia odbierana jest przez sieć krystaliczną poprzez fonony. W kwestii efektu Augera energia jaka zostaje wyzwolona w postaci energii kinetycznej przekazana zostaje do innego elektronu (rys 3.1) Rys. 1.1. Mechanizm rekombinacji nośników w półprzewodnikach. Źródło: http://welcome.fizyka.umk.pl/files/Detection_of_Light/wyklad05.pdf Procesy rekombinacji promienistej mogą przebiegać kilkoma sposobami: Rekombinacja pasmo-pasmo - elektron z pasma przewodnictwa rekombinuje bezpośrednio z dziurą z pasma walencyjnego, w wyniku czego wytwarzany jest foton 5 energii równej lub większej od energii przerwy energetycznej E G półprzewodnika. Rekombinacja pasmo-pasmo może być obserwowana tylko w czystych materiałach. Rekombinacja przez płytkie poziomy donorowe lub akceptorowe - elektron z pasma przewodnictwa rekombinuje z dziurą przetrzymywaną na poziomie związanym z akceptorem, lub elektron z poziomu donorowego rekombinuje z dziurą z pasma walencyjnego. Rekombinacja donor-akceptor - elektron z poziomu donorowego rekombinuje z dziurą przetrzymywaną na poziomie akceptorowym. Energia odpowiadająca temu przejściu zależy od przestrzennej odległości donora i akceptora. Rekombinacja poprzez głębokie poziomy - w tym przypadku energia fotonu jest znacznie mniejsza niż wartość przerwy energetycznej. Innym rodzajem przejść promienistych są przejścia ekscytonowe, występujące w warunkach, gdy przestrzennie związana para elektron-dziura (zwana ekscytonem) tworzy stan, którego energia jest mniejsza niż energia swobodnego elektronu i dziury. Ponieważ elektron i dziura tworzące ekscyton muszą mieć identyczne prędkości translacji, istnieje ograniczenie miejsca w przestrzeni (E-k), w których możemy znaleźć ekscyton, do tzw. punktów krytycznych. Rys. 1.2. Przejścia promieniste w półprzewodnikach, (od lewej): rekombinacja “pasmopasmo”; wolne przejścia ekscytonowe; rekombinacja “pasmo przewodzenia-akceptor”; rekombinacja “donor-pasmo walencyjne”; rekombinacja “donor-akceptor”; rekombinacja ekscytron-neutralny akceptor; rekombinacja ekscytron-neutralny donor. 6 Efekt Augera - elektron rekombinuje z dziurą oddając nadmiarową energię drugiemu elektronowi w paśmie przewodnictwa. Drugi elektron zostaje wzbudzony do stanu o większej energii w paśmie przewodnictwa, a następnie rozprasza uzyskaną energię w wyniku oddziaływania z siecią krystaliczną. Proces ten, obejmujący dwa elektrony i dziurę będzie odgrywał istotną rolę przy dużych koncentracjach nadmiarowych elektronów. W procesie rekombinacji niepromienistej uwalniana energia odbierana jest przez sieć krystaliczną poprzez fonony. Istnieją dwa podstawowe typy przejść niepromienistych: efekt Augera i emisja wielofononowa. − Efekt Augera - elektron rekombinuje z dziurą oddając nadmiarową energię drugiemu elektronowi w paśmie przewodnictwa. Drugi elektron zostaje wzbudzony do stanu o większej energii w paśmie przewodnictwa, a następnie rozprasza uzyskaną energię w wyniku oddziaływania z siecią krystaliczną. Proces ten, obejmujący dwa elektrony i dziurę będzie odgrywał istotną rolę przy dużych koncentracjach nadmiarowych elektronów. − Emisja wielofononowa - przejście niepromieniste zachodzi poprzez emisję pewnej liczby kwantów drgań sieci (fononów). Ponieważ energia fononu jest mniejsza od spodziewanej straty energii(odpowiadającej szerokości przerwy zabronionej) w wyniku rekombinacji, powyższy proces wymaga emisji pewnej liczby fononów. 1.2 Emisja spontaniczna i wymuszona. Inwersja obsadzeń Rekombinacja w przypadku jej wersji jako „rekombinacji promienistej” jest procesem któremu towarzyszy emisja kwantów światła. W tym przypadku może być rozpatrywana w kategoriach przyjętych w stosunku do opisania akcji laserowej lub jej podstaw. Aby możliwe było zrozumienie zasady działania półprzewodnikowych źródeł światła potrzebna jest pewna wiedza o zjawiskach fizycznych zachodzących wewnątrz tych przyrządów. Zacznijmy więc od omówienia tych zjawisk. 7 Pierwsze zagadnienie stanowią mechanizmy oddziaływania fotonów z atomami ośrodka. Rozważmy więc ośrodek w którym atomy mogą przyjmować tylko dwie, dyskretne wartości energii. Takie wartości energii nazywamy stanami lub poziomami energetycznymi. Gdy ośrodek posiadający dwa stany energetyczne o energiach i takich, że oświetlimy fotonem o energii , wtedy foton ten może zostać pochłonięty przez atom o niższej energii pochłoniętego fotonu przekazywana jest atomowi – przyjmuje on wtedy energię . Energia (nazywamy to przejściem na wyższy poziom energetyczny). Zjawisko to schematycznie pokazane na rys.1.3a nosi nazwę absorpcji promieniowania. Rys. 1.3 Absorpcja, emisja spontaniczna i emisja wymuszona W przyrodzie każdy układ dąży do uzyskania minimum energii. Pobudzony atom (na wyższym poziomie energetycznym) dąży więc do powrotu na niższy poziom energetyczny. Po pewnym czasie (średni czas przebywania atomu na wyższym poziomie energetycznym nazywamy czasem życia poziomu) atom wróci na podstawowy poziom energetyczny musi on pozbyć się różnicy energii . Aby jednak powrócić na ten poziom . Tę różnicę może przekazać w postaci mało nas interesującej np. oddając ją ośrodkowi w postaci energii kinetycznej, ale może też oddać ją wypromieniowując foton. Wypromieniowany foton unosi różnicę energii między poziomami, a więc energia fotonu . Zjawisko to nosi nazwę emisji spontanicznej i jest podstawą działania diod LED. 8 Gdy pobudzony atom (na wyższym poziomie energetycznym) oświetlimy fotonami o energii absorpcja promieniowania nie jest możliwa (atom posiada już energię ). Fotony, którymi oświetlamy ośrodek mogą jednak wywoływać przejście atomu na niższy poziom energetyczny dużo wcześniej niż by to się stało poprzez emisję spontaniczną (efekt zerwania, zrzucenia elektronów na dół pod wpływem fotonów o określonej energii). Podczas wtedy przejścia atomu na niższy poziom energetyczny wywołanego przez przelatujący foton energia uwalniana jest w postaci dodatkowego fotonu. Proces ten nosi nazwę emisji wymuszonej i jest podstawą działania laserów. Emitowany w trakcie tego procesu foton posiada specyficzne właściwości. Otóż jest on identyczny jak foton, który wywołał to zjawisko. Posiada więc dokładnie taką samą energię, porusza się w tym samym kierunku, a traktowany jak fala elektromagnetyczna posiada tę samą długość fali i fazę. O takim promieniowaniu mówimy, że jest koherentne. Po zajściu zjawiska emisji wymuszonej dostajemy dwa fotony zamiast jednego – oświetlającego. Mamy więc tu do czynienia z rodzajem wzmocnienia światła. Wzmocnienie może być opisane równaniem podobnym do równania Bougera-Lamberta-Beer’a opisującego zmiany natężenia światła o wartości początkowej I(0) po przebyciu drogi x w ośrodku charakteryzującym się stałym współczynnikiem absorpcji optycznej α : . Różnica polega jednak na tym, że znak współczynnika α jest ujemny w przypadku wzmocnienia światła, a z tego wynika że w trakcie pokonania drogi optycznej wartość natężenia optycznego będzie nie spadała, a rosła. W ośrodku o dwóch poziomach energetycznych, w stanie równowagi termicznej część atomów ośrodka przyjmuje energię , a część energię . Stosunek do określa zależność nazywana rozkładem Boltzman’a. Z rozkładu tego wynika, że na wyższym poziomie energetycznym w stanie równowagi znajduje się mniej atomów niż na poziomie o niższej energii. Ponadto im większa jest różnica energii pomiędzy poziomami tym mniej atomów znajduje się na wyższym poziomie energetycznym. Gdy oświetlimy ośrodek znajdujący się w stanie równowagi termicznej fotonami o energii wtedy fotony częściej spotykać będą atomy o niższej energii niż atomy pobudzone. Częściej więc zachodzić będzie zjawisko absorpcji niż zjawisko emisji wymuszonej. Taki ośrodek pochłania promieniowanie. 9 Rys. 1.4. Emisja wymuszona i wzmocnienie optyczne Warunkiem koniecznym uzyskania wzmocnienia w ośrodku aktywnym lasera jest wytworzenie w nim tzw. inwersji obsadzeń poziomów energetycznych. Termin ten oznacza odwrócenie naturalnego porządku jaki rządzi obsadzeniem tych poziomów. W warunkach równowagi termodynamicznej ten naturalny porządek opisany jest równaniem Boltzmana: gdzie N , N jest to obsadzenie (koncentracja) poziomów E , E , k natomiast jest to stała g d g -23 Boltzmana (k = 1,38.10 d J.s), a T oznacza temperaturę. Z powyższego warunku wynika, że dla E >E stosunek N /N jest mniejszy od jedności, a zatem im g d g d wyższa jest energia stanu, tym mniejsze jest jego obsadzenie. W układzie z inwersją obsadzeń sytuacja jest odwrotna: koncentracja atomów w stanie wyższym jest większa od koncentracji atomów w niższym stanie. Łatwo jest zrozumieć mechanizm wzmacniania promieniowania w ośrodku aktywnym lasera z wytworzoną między poziomami E g i E d inwersją obsadzeń. Wchodzące do tego ośrodka 10 promieniowanie o częstotliwości rezonansowej ΔE/h powoduje jednoczesne powstanie zjawisk emisji wymuszonej i absorpcji. Prawdopodobieństwo obu zjawisk jest jednakowe, ale ilość aktów emisji wymuszonej i absorpcji jest odpowiednio proporcjonalna do ilości atomów w stanie górnym E i g dolnym E . Stąd w układzie z inwersją obsadzeń, gdzie N >N ilość aktów emisji wymuszonej d g d przewyższa ilość aktów absorpcji, w efekcie wypadkowym ośrodek aktywny działa wzmacniająco. W pobudzonym ośrodku z boltzmannowskim rozkładem obsadzeń sytuacja jest dokładnie odwrotna – absorpcja przeważa nad emisja wymuszoną i w wypadkowym efekcie ośrodek pochłania promieniowanie. Gdy jednak zaburzymy równowagę i w jakiś sposób sprawimy, że atomów, które mogą oddać energię (a więc znajdują się na wyższym poziomie energetycznym) będzie więcej niż tych na poziomie podstawowym, wtedy doprowadzimy do stanu nazywanego inwersją obsadzeń. Gdy w ośrodku występuje inwersja obsadzeń wtedy przelatujące przez ten ośrodek fotony częściej napotykają atomy pobudzone niż atomy w stanie podstawowym, częściej więc zachodzi emisja wymuszona niż absorpcja promieniowania. Taki ośrodek wzmacnia promieniowanie optyczne. 1.3 Diagram pasmowy półprzewodnika. Półprzewodniki z prostą i skośną przerwą energetyczną Energetyczny diagram pasmowy półprzewodnika w ogólności zwiera sporo pasm o kształtach asymetrycznych, dlatego też jest dość skomplikowany. Posiada wiele maksimów i minimów. W celu omówienia urządzeń półprzewodnikowych zazwyczaj upraszcza się go, z tego względu iż własności elektroniczne półprzewodnika zostały zdominowane przez najwyższy poziom nieobsadzony przez elektrony oraz poziom najwyższy obsadzony przez elektrony. W związku z powyższym można dokonać analizy diagramu pasmowego złożonego z wskazanych poziomów . Na poniższym rysunku (Rys. 1.5) został przedstawiony uproszczony diagram, w skład którego wchodzi najwyższy poziom nieobsadzony przez eleketorny. Pasmo te nosi nazwę pasma przewodzenia lub też wzbudzonego. Natomiast najwyższy poziom niebsadzonym przez eleketorny nosi nazwę pasma walencyjnego. Między pasmami występuje przerwa energetyczna 11 Rys. 1.5 Diagram pasm energetycznych – uproszczony. Przerwę energetyczną Eg ogranicza od góry pasmo przewodzenia Ec, od dołu ogranicza pasmo walencyjne Ev. Odległość pomiędzy krawędzią Ec a energią swobodnych elektronów poza kryształem półprzewodnika (Evacuum poziom energii w próżni) jest określona poprzez wielkość powinnowacta χ mnożonemu przez q, czyli ładunek elektronu. W przypadku uproszczonej wersji diagramu pasma energetycznego brak jest wiadomości odnośnie zależności energii względem pędu. Mając na uwadze te informacje, półprzewodnikowe materiały można podzielić na półprzewodniki z skośną przerwą energetyczną i prostą. Rys. 1.6. Model przejść skośnych między pasmami oddzielonymi skośną przerwą energetyczną. 12 W półprzewodnikach posiadającą skośną przerwę energetyczną (Rys. 1.6) wierzchołek pasma walencyjnego i minimum pasma przewodnictwa odpowiadając różnym wartościom wektora falowego k. Zachowanie prądu w przypadku rekombinacji elektronu z dziurą połączonej z emisją fotonu jest dzięki istnieniu fononu – dodatkowa cząstka związana z drganiami sieci krystalicznej. Przejście skośne posiada proces trójcząstkowy, tzn udział biorą elektron, foton i fonon i jego prawdopodobieństwo jest znacząco mniejsze niż w przypadku opisanego poniżej przejścia prostego, gdzie udział biorą dwie cząstki – elektron i foton. Półprzewodniki z prostą przerwą energetyczną minimum pasma przewodnictwa i maksimum pasma walencyjnego przypadają dla tej samej wartości wektora falowego k (p=hk) Rys. 1.7). W przypadku rekombinacji elektronu z pasma przewodnictwa z dziurą z pasma walencyjnego połączonej z emisją fotonu zostaje zachowany całkowity pęd układu. Prawdopodobieństwo przejść prostych z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego jest wysokie. W związku z tym akcję laserową obserwuje się głównie w materiałach z prostą przerwą energetyczną, lecz np. w przypadku krzemu można także otrzymać akcję laserową w materiałach o skośnej przerwie. Rys. 1.7. Model dozwolonych przejść prostych. Ei - energia stanu początkowego, Ef - energia stanu końcowego. 13 1.4 Dioda LED – źródło promieniowania sterowane prądem Dogodnym ośrodkiem, który możemy wykorzystać do budowy źródła światła jest materiał półprzewodnika, zaś konstrukcją, która to umożliwia jest złącze p-n. W półprzewodniku nośniki: elektrony i dziury nie mogą przyjmować dowolnych energii. Istnieje bowiem w nim zakres energii zabronionych dla nośników nazywany przerwą zabronioną. Energie większe niż energie przerwy zabronionej nazywamy pasmem przewodnictwa, a granicę pomiędzy przerwą zabronioną a pasmem przewodnictwa oznaczamy przez . Zakres energii leżący poniżej przerwy zabronionej, a granicę pomiędzy tymi zakresami oznaczamy przez . Elektrony i dziury w półprzewodniku mogą przyjmować tylko energie z pasm: przewodnictwa i walencyjnego. Po zetknięciu ze sobą dwóch obszarów półprzewodnika o przeciwnych typach domieszkowania na ich styku powstaje bariera potencjału, która uniemożliwia swobodny przepływ nadmiarowych nośników pomiędzy tymi obszarami. W obszarze typu „n” mamy więc niemal same elektrony, w obszarze typu „p” niemal same dziury (1.8,a). Rys. 1. 8 Podstawy działania diody LED Po przyłożeniu do struktury napięcia w kierunku przewodzenia następuje przepływ nośników pomiędzy obszarami. I tak: elektrony z obszaru typu „n” wędrują do obszaru typu „p”, a dziury z obszaru „p” do obszaru „n” (rys.1.8,b). Wtedy w tym samym miejscu pojawiają się oba typy nośników, mogą więc rekombinować. Rekombinacja pary elektrondziura jest w zasadzie zajęciem przez elektron o energii z pasma przewodnictwa miejsca w 14 paśmie walencyjnym. Wiąże się to ze zmianą energii elektronu. Tej energii elektron musi się pozbyć. Może to zrobić na dwa sposoby: oddając ją ośrodkowi w postaci ciepła lub wypromieniowując foton. Te dwa sposoby oddania energii nadają nazwę procesowi rekombinacji. I tak, gdy rekombinacji towarzyszy generacja fotonu nazywamy ją rekombinacją promienistą, zaś w przeciwnym przypadku rekombinacją niepromienistą. Niestety nie we wszystkich półprzewodnikach zachodzi wydajna rekombinacja promienista. Do tego w półprzewodnik musi się charakteryzować prostą przerwą energetyczną. I tak najbardziej rozpowszechniony, najtańszy i najlepiej poznany półprzewodnik – krzem Si posiada skośną przerwę energetyczną – rekombinacja promienista zachodzi w nim niezmiernie rzadko – nie nadaje się on więc do budowy źrodeł promieniowania. Odpowiednim materiałem jest za to np. arsenek galu GaAs. Energia (a więc i długość fali) fotonów wypromieniowanych w trakcie rekombinacji zależy od różnicy energii elektronu i dziury przed rekombinacją, czyli od szerokości przerwy zabronionej. Różne półprzewodniki posiadają różne szerokości przerwy zabronionej. Przez dobór materiału możemy więc otrzymać odpowiednią, interesującą nas długość fali produkowanego promieniowania. Złącza p-n emitujące światło nazwano diodami LED (od słów Light Emitting Diode). W diodach nośniki, które rekombinują są zastępowane nośnikami dopływającymi z kontaktów. Jednocześnie liczba produkowanych fotonów jest proporcjonalna do liczby rekombinujących nośników. Wynika stąd, że moc optyczna promieniowana przez diodę LED jest proporcjonalna do prądu diody. Ta zależność przestaje być słuszna dla dużych prądów polaryzacji diody. Ponadto efektywność generacji promieniowania optycznego w diodzie spada wraz ze wzrostem temperatury. 15 Rys. 1.9 Charakterystyka mocy i widmo optyczne diody LED Szerokości pasm przewodnictwa i walencyjnego są niezerowe. Skoro tak, to znajdziemy nośniki posiadające różne energie z zakresu tych pasm. Te nośniki mogą rekombinować w różnych konfiguracjach. Możliwa jest więc taka kombinacja, w której różnica energii nośników jest sporo większa od przeciętnej, jak też i taka, w której jest ona od przeciętnej znacznie mniejsza. Generowane przez diodę LED promieniowanie będzie więc zawierać fotony o różnych energiach, a co za tym idzie, różnych długościach fali. Kształt widma promieniowania zależy od funkcji określającej prawdopodobieństwo napotkania pary elektron-dziura o danej różnicy energii. Ponieważ szerokości pasm w półprzewodniku są stosunkowo duże to widmo promieniowania diody LED jest szerokie. Kolejnym problemem wymagającym omówienia jest pasmo pracy diody. W przypadku włączania i wyłączania diody LED istotnym ograniczeniem pasma pracy jest mechanizm wyłączania diody. Gdy włączymy przyrząd, czyli gdy „napełnimy” go nadmiarowymi nośnikami, które mają rekombinować produkując fotony, wtedy jedynym mechanizmem usuwającym te nośniki jest rekombinacja samoistna. Czas opróżniania diody zależy więc od jej prędkości czyli od czasu życia nośników. Ten właśnie proces ogranicza szybkość wyłączania diody, a więc i pasmo pracy. Typowe wartości pasma pracy sięgają kilkuset MHz. Ostatnią właściwością diody LED jest jej kątowa charakterystyka promieniowania. W przypadku tego przyrządu charakterystyka kątowa promieniowania jest bardzo szeroka. Wynika to stąd, że kierunek, w jakim emitowany jest foton podczas rekombinacji nie jest niczym wymuszony. Diody LED mają więc małą sprawność wprowadzania światła do 16 światłowodu o małej średnicy. To zwykle ogranicza ich stosowanie do światłowodów wielomodowych. Diody LED pomimo ich silnych ograniczeń posiadają jednak niezwykle istotną zaletę, jaką jest ich niska cena. Ta dodatkowa – ekonomiczna cecha, w połączeniu z ich właściwościami technicznymi sprawia, że ich naturalnym polem zastosować są nadajniki krótkodystansowych łączy optycznych opartych o światłowody wielomodowe o stosunkowo niewielkich przepływnościach. Przykładem takich łączy są łącza w sieciach komputerowych gdzie odległości rzędu kilometra i przepływności na poziomie 100 MB/s pozwalają na wykorzystanie wszystkich zalet tego rozwiązania. 1.5 Laser półprzewodnikowy Aby zrealizować laser półprzewodnikowy potrzebne są dwa elementy: ośrodek aktywny (wzmacniający) i pętla sprzężenia zwrotnego. Oczywiście, w ośrodku aktywnym koniecznie jest doprowadzić do inwersji obsadzeń – bez tego wzmocnienie nie ma miejsca. Lasery półprzewodnikowe, czyli kwantowe generatory optyczne są laserami złączowymi, w których ośrodkiem czynnym (aktywnym) jest półprzewodnik. Inwersję obsadzeń poziomów energetycznych, uzyskuje się poprzez wstrzykiwanie mniejszościowych nośników ładunku do obszaru złącza p-n (lub heterozłącza) spolaryzowanego w kierunku przewodzenia. W półprzewodniku występuje dwupoziomowy układ stanów energetycznych. Zachodzą w nim wszystkie pokazane już procesy oddziaływania światła z materią: absorpcja promieniowania, emisja spontaniczna i emisja wymuszona. W ośrodku wzmacniającym prawdopodobieństwo zajścia emisji wymuszonej musi być większe od prawdopodobieństwa absorpcji. Padający foton częściej więc musi napotykać gotową do rekombinacji parę elektron-dziura niż niepobudzony atom. Tak sytuacja możliwa jest tylko przy bardzo wysokim domieszkowaniu półprzewodnika. Tak wysokim, żeby poziom Fermiego w półprzewodniku znalazł się poza przerwą zabronioną. Takie półprzewodniki nazywamy półprzewodnikami zdegenerowanymi. Złącze p-n zbudowane z półprzewodnika silnie domieszkowanego o prostej przerwie zabronionej stanowi dobry ośrodek aktywny. Sprzężenie zwrotne można uzyskać na kilka sposobów. Najprostszy z nich zakłada użycie dwóch zwierciadeł po obu stronach ośrodka aktywnego. Taka konstrukcja nazywa się rezonatorem Fabry-Perot. Zwierciadłami tymi mogą być ścianki (boczne) kryształu półprzewodnikowego w którym utworzono złacze (złącza) p-n. 17 Rezonator, czyli wnęka ma najczęściej kształt prostopadłościanu o rozmiarach rzędu ułamka milimetra. Sprzężenie optyczne uzyskuje się dzięki parze zwierciadeł prostopadłych do płaszczyzny obszaru czynnego (rezonator Fabry’ego-Perota – Rys.1.10) lub dzięki specjalnie pofałdowanej powierzchni równoległej do tego obszaru (lasery z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym DFB Distributed FeedBack). Obszar czynny leży w płaszczyźnie złącza p-n i jest zwykle ograniczony do wąskiego paska. Dla zainicjowania akcji laserowej prąd zasilający musi mieć odpowiednią wartość zwaną prądem progowym I . th Rys.1.10. Rezonator lasera półprzewodnikowego. Rozważmy więc działanie układu wzmacniającego umieszczonego w rezonatorze Fabry-Perot’a. Jeżeli w takim układzie w pewnym jego miejscu dokona się akt emisji promieniowania i kierunek promieniowania będzie prostopadły do płaszczyzn zwierciadeł, wtedy fala elektromagnetyczna, jaką jest światło, pobiegnie przez ośrodek aktywny w kierunku jednego ze zwierciadeł. Następnie odbije się od niego i wróci do ośrodka aktywnego. W ośrodku aktywnym zachodzi zarówno pochłanianie (z powodu zjawiska absorpcji), jak i wzmacnianie (dzięki zjawisku emisji wymuszonej). Po przejściu przez ośrodek odbije się od drugiego zwierciadła i wróci do punktu wyjścia. Jedno ze zwierciadeł jest częściowo przepuszczalne – dzięki temu wyprowadzamy część światła na zewnątrz 18 lasera. Aby taka propagacja była stabilna w czasie potrzebne jest spełnienie dwóch warunków. Rys. 1.11 Zjawiska w rezonatorze optycznym Amplituda fali świetlnej po przejściu całego cyklu nie może się zmniejszać – czyli straty pochłaniania w ośrodku aktywnym, moc wyprowadzana i straty na odbiciach muszą być co najmniej równoważone przez wzmocnienie. Ten warunek nazwiemy warunkiem amplitudowym. Fala padająca i fala powracająca muszą być zgodne w fazie tak, aby przy nakładaniu się tych fal nie dochodziło do ich wygaszania. Warunek ten nazwiemy warunkiem fazowym. Półprzewodnikowy ośrodek aktywny posiada pary elektron-dziura o dość szerokim spektrum dostępnych energii. Jeżeli tylko prąd płynący przez złącze jest dostatecznie duży to warunek amplitudowy jest spełniony dla szerokiego zakresu widma. Jednak warunek fazowy spełniają tylko te długości fali, których w rezonatorze mieści się całkowita liczba połówek. Rysując na jednym wykresie charakterystykę wzmocnienia ośrodka aktywnego i długości fali spełniające warunek fazowy (dolny rysunek) otrzymujemy charakterystykę promieniowania lasera z rezonatorem F-P. Widmo promieniowania lasera z rezonatorem F-P zawiera wiele prążków. Nazywamy je modami, a taki laser laserem wielomodowym. Ponieważ wzmocnienie ośrodka aktywnego zależy od koncentracji par elektrondziura, a ta, w warunkach równowagi jest monotonicznie zależna od prądu płynącego przez 19 strukturę, to istnieje taka wartość prądu, poniżej której warunek amplitudowy nie jest spełniony, czyli nie zachodzi akcja laserowa. Minimalny prąd potrzebny do zainicjowania akcji laserowe nazywamy prądem progowym. 1.6 Widmo promieniowania lasera, warunki generacji laserowej Widmo promieniowania wyjściowego lasera (Rys.1.12) wynika bezpośrednio z warunków generacji laserowej: amplitudowego i fazowego. Rys.1.12. Widmo promieniowania wyjściowego lasera pracującego na niejednorodnie (dopplerowsko) poszerzonej linii widmowej Amplitudowy warunek generacji wymaga, aby wzmocnienie ośrodka aktywnego α było większe lub równe od poziomu strat rezonatora optycznego α . Straty te wynikają głównie z s niecałkowitego odbicia promieniowania laserowego od zwierciadeł (na skutek absorpcji, rozpraszania i transmisji zwierciadeł) oraz zjawiska dyfrakcji. Oznacza to, że laser z punktu widzenia warunku amplitudowego jest zdolny do generacji w zakresie częstotliwości Δν , w L którym wartość wzmocnienia przewyższa wartość strat. Fazowy warunek generacji jest przedstawiony graficznie na dodatkowej osi częstotliwości ν. Zaznaczono na niej te częstotliwości rezonansowe rezonatora, które leżą w pobliżu wykorzystywanej linii widmowej. Konieczność jednoczesnego spełnienia obu warunków generacji, amplitudowego i fazowego jednoznacznie określa widmo promieniowania lasera. Składa się ono z 20 równoodległych o wartość c/2L od siebie częstotliwości rezonansowych rezonatora leżących w tym zakresie częstotliwości, gdzie wartość wzmocnienia ośrodka aktywnego przewyższa wartość strat optycznych rezonatora. Bezwzględna wartość częstotliwości generowanych przez laser f ściśle zależy od długości rezonatora L: i wtedy względne zmiany długości rezonatora ΔL/L ściśle odpowiadają względnym zmianom generowanych częstotliwości Δf/f: Zmianie długości rezonatora ΔL o pól długości fali λ/2 odpowiada zmiana generowanej częstotliwości o wartość c/2L. Narzuca to konieczność zapewnienia wysokiej stabilności mechanicznej i termicznej konstrukcji rezonatora lasera. 1.7 Szerokość linii widmowych, kształt krzywej wzmocnienia Oba decydujące o wzmocnieniu ośrodka aktywnego lasera zjawiska: emisja wymuszona i absorpcja mają charakter rezonansowy – wzmacniane, bądź pochłaniane jest promieniowanie o częstotliwości odpowiadającej częstotliwości przejścia promieniowania pochodzącego z emisji spontanicznej. Oznacza to, że widmowy kształt krzywej wzmocnienia (tzn. zależność wzmocnienia od częstotliwości) będzie dokładnie taki sam jak widmowy kształt linii widmowej pochodzącej z przejścia spontanicznego między górnym i dolnym poziomem laserowym. Nawet w idealnym przypadku linia widmowa posiada skończoną szerokość. Tłumaczy się to faktem, że promieniowanie z każdego źródła światła składa się z pojedynczych aktów emisji. Każdemu aktowi emisji towarzyszy wysłanie ciągu falowego o czasie trwania zbliżonym do czasu życia poziomu energetycznego. Widmo fourierowskie takiego 21 skończonego ciągu falowego nie jest nieskończenie wąskie, jest tym szersze im czas życia poziomów jest krótszy. Wynikająca z tego zjawiska szerokość linii Dν nazywana jest N naturalną szerokością linii widmowej. Szerokość naturalna linii jest więc najmniejszą wartością jaką może mieć linia widmowa. W warunkach rzeczywistych szerokość linii może ulec tylko zwiększeniu. Zjawiska zwiększające szerokość widmową linii można podzielić na dwie grupy: powodujące poszerzenie jednorodne i niejednorodne . − Poszerzenie jednorodne linii widmowych. Występuje wtedy, gdy zjawisko powodujące poszerzenie linii widmowej w jednakowym stopniu oddziałuje na linię każdego atomu. Cały układ atomów wykazuje wtedy takie samo poszerzenie jak pojedynczy atom. W układzie takim nie można oddziaływać na pojedyncze atomy lub grupy atomów bez naruszania stanu wszystkich pozostałych atomów. − Poszerzenie niejednorodne linii widmowych W pobudzonym ośrodku jednym z mechanizmów prowadzących do poszerzenia niejednorodnego jest termiczny ruch atomów. Atomy poruszają się bezwładnym ruchem termicznym w różnych kierunkach i z maxwellowskim rozkładem prędkości, zależnym od temperatury T. W wyniku efektu Dopplera powoduje to zmianę częstotliwości rezonansowej ν grupy atomów o prędkości termicznej v . T o Każda grupa atomów o stałej prędkości termicznej v emituje linie widmowe o T jednakowej naturalnej szerokości Dν , jednak linie poszczególnych grup atomów o innych N prędkościach termicznych są porozsuwane zgodnie z prawem Maxwella wzdłuż osi częstotliwości. Obwiednie wszystkich cząstkowych linii grup atomowych tworzą wypadkową, która ma kształt krzywej Gaussa. Porównanie kształtu linii widmowych poszerzonych jednorodnie i niejednorodnie przedstawia Rys.1.13: 22 Rys.1.13. Porównanie kształtu linii widmowej poszerzonej jednorodnie (funkcja Lorentza) i niejednorodnie (funkcja Gaussa) o jednakowych szerokościach widmowych Dν. Emisja wymuszona jest emisją w dużym stopniu uporządkowaną, a emitowana wiązka światła ma niewielką rozbieżność kątową, zazwyczaj kilka stopni. Stosowane w telekomunikacji lasery dają dużą moc dochodzącą do jednego wata. Istotną zaletą diody laserowej jest jej wąskie widmo częstotliwościowe promieniowania, rzędu kilku nanometrów lub nawet kilku dziesiątych części nanometra. Jednakże, obecność zwierciadeł na końcach struktury może spowodować generację kilku różnych długości fal promieniowania (długość rezonatora jest skwantowana i wytworzyć się może kilka fal stojących). Dlatego też widmo częstotliwościowe promieniowania laserowego jest widmem dyskretnym. 23 Rys.1.14. Widmo promieniowania lasera półprzewodnikowego przed (a) i poza (b) progiem wzbudzenia 1.8 Efekt nasycenia wzmocnienia W ośrodku aktywnym lasera, w stanie ustalonym musi zachodzić równowaga zjawisk decydujących o obsadzeniu górnego poziomu laserowego: wzbudzania (pompowania) górnego poziomu laserowego i zmniejszania (depopulacji) obsadzenia tego poziomu na skutek emisji spontanicznej i wymuszonej Niech do ośrodka aktywnego o stałej prędkości pompowania i początkowym tzw. nienasyconym wzmocnieniu α 0 wejdzie wiązka promieniowania o częstotliwości rezonansowej i intensywności I. Spowoduje ona na skutek silnych aktów emisji wymuszonej depopulację górnego poziomu laserowego, a co za tym idzie zmniejszenie inwersji obsadzeń i związanego z nią wzmocnienia. To zjawisko zmniejszania wartości wzmocnienia wywołane obecnością promieniowania rezonansowego w ośrodku aktywnym nazywamy nasyceniem 24 wzmocnienia. Charakter ilościowy tego zjawiska zależy od rodzaju poszerzenia linii widmowej: dla poszerzenia jednorodnego: dla poszerzenia niejednorodnego: gdzie parametr nasycenia I oznacza taką moc promieniowania w ośrodku aktywnym, przy S której wzmocnienie maleje dwukrotnie (poszerzenie jednorodne) bądź do wartości 1/2 (poszerzenie niejednorodne). Od rodzaju poszerzenia linii widmowej zależy również kształt nasyconej krzywej wzmocnienia (Rys.1.15) Dla ośrodka aktywnego o poszerzeniu jednorodnym promieniowanie o częstotliwości ν 0 oddziałuje ze wszystkimi atomami ośrodka. Tak więc krzywa wzmocnienia obniża się proporcjonalnie (jednorodnie) ze wzrostem I. Inna sytuacja panuje w ośrodku poszerzonym niejednorodnie w wyniku efektu Dopplera. Tutaj promieniowanie o częstotliwości ν oddziałuje tylko z jedną grupą atomów o ściśle 0 określonej prędkości (dla częstotliwości centralnej ν dotyczy to atomów nieruchomych lub 0 poruszających się ruchem termicznym prostopadle do osi lasera) i zmniejsza wzmocnienie tylko dla tej grupy atomów. Następuje więc tu lokalny efekt nasycenia wzmocnienia – nazywamy go efektem wypalania dziur w krzywej wzmocnienia. Ponieważ dopplerowsko poszerzona linia widmowa jest superpozycją jednorodnych linii widmowych o poszerzeniu naturalnym szerokość wypalonej dziury będzie zbliżona do szerokości naturalnej Dν , a jej N głębokość będzie odpowiednio wzrastała, przy zwiększeniu I. 25 Rys.1.15. Efekt nasycenia wzmocnienia ośrodka aktywnego w układzie wzmacniacza dla linii widmowych poszerzonych jednorodnie (a) i niejednorodnie (b) dla różnych wartości intensywności promieniowania I. Rys.1.10. Efekt nasycenia wzmocnienia ośrodka aktywnego w układzie generacyjnym dla linii widmowych poszerzonych jednorodnie (a) i niejednorodnie (b) 1.9 Typy laserów półprzewodnikowych Można wyróżnić kilka charakterystycznych typów laserów półprzewodnikowych: − Lasery o właściwościach wyznaczonych przez wzmocnienie optyczne (gain-guided lasers). W laserach tych prąd jest „wstrzykiwany” jedynie w wąskim pasku o szerokości rzędu 10nm. Takie 26 lasery nazwane są laserami o geometrii paskowej. Odpowiednie domieszkowanie zamienia część górnego obszaru typu n w obszar typu p. Prąd płynie tylko w centrum obszaru, ponieważ pozostała część jest złączem n-p spolaryzowanym zaporowo. Ponieważ warstwa aktywna silnie pochłania światło poza paskiem, emisja jest ograniczona jedynie do obszaru paska. Rozkład modów optycznych wzdłuż płaszczyzny złącza określony jest przez wzmocnienie optyczne. − Lasery, w których światło prowadzone jest przez odpowiednie ukształtowanie współczynnika załamania (index-guided lasers) Rys.16. W laserach tych obszar, w którym prowadzone jest światło, określono przez uformowanie falowodu wzdłuż złącza. Falowód ten jest wykonany przez wprowadzenie odpowiednich skokowych zmian współczynnika załamania. Rejon aktywny jest otoczony ze wszystkich stron przez kilka warstw materiału o niższym współczynniku załamania. Zapewniają one silne ograniczenie emitowanego modu i charakteryzują się dużą stabilnością. Rys.1.16. Struktura laserów typu index guided laser − Lasery ze studniami kwantowymi. W laserach tych obszar czynny jest cieńszy od 100 nm, a więc jest on znacznie mniejszy od długości fali. Ruch elektronów przez takie złącze ograniczony jest przez dyskretnie kwantowo występujące poziomy energetyczne, co prowadzi do skupienia elektronów w wąskim przedziale energii. W konsekwencji akcja laserowa może występować po przekroczeniu niewielkiego prądu progowego rzędu 10-20 mA. Wyróżniamy kilka typów laserów ze studniami kwantowymi: 1. lasery o pojedynczej studni kwantowej SQW (single quantum-well); 2. lasery o wielokrotnych studniach kwantowych MQW (multiple quantum-well) - struktury MQW wykonane są w postaci wielu niezwykle cienkich warstw o grubości atomowej. Stosowane dla skuteczniejszego ograniczenia i grupowania elektronów, wielokrotne studnie kwantowe 27 powstają w kolejno po sobie następujących cienkich warstwach poprzedzielanych warstwami falowodowymi; 3. lasery QW (quantum-wires) - materiał wewnętrzny to cienkie druty, lasery QW umożliwiają stosowanie bardzo wysokich częstotliwości modulacji sięgających 20 GHz oraz charakteryzują się bardzo małą wrażliwością na temperaturę. Zastosowanie QW zmniejsza dwukrotnie szerokość wiązki emisji, przez co do 50% rośnie sprawność sprzężenia ze światłowodem jednomodowym. − Lasery z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym. Współczesne systemy transmisyjne często wymagają jednomodowej pracy lasera – większość laserów daje taką możliwość, lecz nie jest wystarczająco selektywna. Spowodowane jest to przez zastosowanie rezonatora Fabry-Perota (o periodycznym charakterze sprzężenia zwrotnego). W celu wyeliminowania tej niedogodności stosuje się często tzw. selektywnie rozłożone sprzężenie zwrotne. Lasery takie można podzielić na dwie kategorie: z rozproszonym sprzężeniem zwrotnym (DFB – distributed feedback) i ze zwierciadłem Bragga na końcach struktury(DBR – distributed Bragg reflector) - Rys.1.17. Rys.1.17. Struktura laserów z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym DBR Rozłożony reflektor Bragga wykorzystuje pewną właściwość struktur periodycznych. Otóż, jeżeli zbudujemy strukturę, w której fala ulega drobnemu odbiciu w regularnych odstępach, a odbić tych jest dostatecznie dużo, to otrzymamy element, który dla pewnych długości fali 28 całkowicie odbija padającą falę, inne zaś długości fali przepuszcza. Na granicy dwóch ośrodków o różnym współczynniku załamania występuje zjawisko częściowego odbicia. Jeżeli współczynniki odbicia ośrodków różnią się nieznacznie, to odbija się tylko niewielka część padającej energii. Wykorzystując tę właściwość możemy zbudować selektywne zwierciadło do lasera. Taką właśnie konstrukcję przedstawia dolny rysunek. Obszary „p” i „n” zbudowane są z różnych materiałów, mają one między innymi różne współczynniki odbicia. Dzięki temu fala świetlna przechodząc przez wytrawione w podłożu struktury wypełnione materiałem górnej warstwy wielokrotnie napotyka granicę ośrodków. Dla długości fali, która spełnia warunek całkowitego odbicia struktura zachowuje się jak zwierciadło, dla innych długości fali jak materiał przezroczysty. Rys.1.18. Struktura laserów z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym DFB Jeżeli z takiego selektywnego zwierciadła zbudujemy rezonator Fabry-Perot to otrzymamy strukturę o ciekawych właściwościach. Warunek fazowy rezonatora spełniony jest dla wielu modów lasera, aby jednak spełnić ten warunek, fala świetlna musi najpierw odbić się od zwierciadeł. Jeżeli ze względu na swą długość nie spełnia warunku całkowitego odbicia siatki Bragga to nie zostanie odbita. W ten sposób budując odpowiednie zwierciadła Bragga jesteśmy w stanie zapewnić, że tylko dla jednej długości fali będą spełnione oba warunki – w laserze generowana będzie tylko jedna długość fali – otrzymamy laser jednomodowy. Taką konstrukcję nazywamy laserem DBR (od angielskich słów Distributed Bragg Reflector). 29 1.10 Materiały półprzewodnikowe do wytwarzania źródeł promieniowania Półprzewodniki stosowane do wytwarzania źródeł promieniowania muszą spełniać wszystkie wymagania stawiane przez technologię przyrządów półprzewodnikowych, a ponadto w obszarze, w którym zachodzi rekombinacja nośników, muszą charakteryzować się przejściami prostymi. W przypadku struktur wielowarstwowych zawierających biheterozłącze (Rys.1.19), poszczególne warstwy muszą mieć tę samą stałą sieci, aby uniknąć naprężeń na między-powierzchniach i wywoływanych przez nie defektów. Rys.1.19. Struktury laserów złączowych: (HJ) – homozłączowa, (SH) – monoheterozłączowa, (DH) – biheterozłączowa. Wymagania te eliminują z zastosowań znane półprzewodniki elementarne i zmuszają do sięgania po związki półprzewodnikowe, najczęściej wieloskładnikowe. W przypadku źródeł promieniowania III V emitujących bliską podczerwień są to z reguły związki międzymetaliczne grupy A B . Zmiana składu III V większości związków potrójnych A B pociąga za sobą znaczną zmianę ich stałej sieci. Wyjątek stanowi (AlGa)As, którego stała sieci pozostaje prawie niezależna od zawartości Al. W przypadku pozostałych półprzewodników niezbędne jest dobieranie składu warstwy epitaksjalnej stosownie do 30 wielkości stałej sieci półprzewodnika stanowiącego podłoże, na którym ta warstwa jest hodowana. Szczególnie elastyczne okazały się w tym względzie związki poczwórne, gdyż dysponując dwoma stopniami swobody można niezależnie zmieniać przerwę energetyczną E i stałą sieci a. Stosowanie g złożonych związków półprzewodnikowych pociąga jednak za sobą utrudnienia technologiczne i dlatego sięga się po nie dopiero w ostateczności. Spośród materiałów stosowanych do wytwarzania laserów złączowych i diod elektroluminescencyjnych, najlepiej zbadanymi i najpowszechniej używanymi są GaAs i (AlGa)As. Lasery złączowe wykonane z tych materiałów charakteryzują się niskimi prądami progowymi i znaczną niezawodnością. Szereg zastosowań, takich jak np. telekomunikacja optyczna, wymaga laserów emitujących promieniowanie w zakresie fal dłuższych, niż to jest możliwe do osiągnięcia przy użyciu GaAs. Sięga się wówczas po materiały wieloskładnikowe w rodzaju (InGa)(AsP) czy (AlGa)(AsSb), które umożliwiają generację promieniowania w zakresie od 1,0 do 1,7μm. Natomiast do wytwarzania źródeł promieniowania emitujących fale o długościach zawierających się w zakresie od IV IV kilku do kilkudziesięciu mikrometrów stosowane są związki A B . Są to związki ołowiu: PbS, PbSe, PbTe i związki cyny: SnTe, SnSe oraz ich trójstanowe roztwory stałe. Tabela 1. Właściwości wybranych materiałów półprzewodnikowych. 31 1.11 Laser jako nadajnik optyczny – modulacja wiązki optycznej W wielu zastosowaniach laserów, szczególnie zastosowaniach telekomunikacyjnych optycznych, laser jest stosowany jako sterowany nadajnik optyczny. W tym celu stosuje się niemal modulację intensywności wiązki optycznej. Oznacza to, że informacja zakodowana jest w wartości lub zmianie poziomu mocy optycznej transmitowanej przez łącze. Istniejące typy modulacji możemy podzielić na dwa sposoby: ze względu na typ kodowanej informacji i ze względu na sposób realizacji. Rys. 1.20 Idea modulacji optycznej – podstawy działania nadajnika Pierwszy podział wyróżnia modulację analogową i modulację cyfrową. Modulacja analogowa służy do przesłania informacji w postaci sygnału analogowego. Ta postać informacji wymaga od nadajnika przede wszystkim liniowości charakterystyki przenoszenia. Oczekujemy bowiem, że dokładny kształt tego sygnału zostanie przesłany przez łącze, a następnie odtworzony na wyjściu odbiornika z dokładnością do amplitudy, której zmiana jest dozwolona. Najbardziej rozpowszechnionym systemem, który korzysta z analogowych łączy optycznych są sieci telewizji kablowej CATV. Drugi typ modulacji – modulacja cyfrowa jest najbardziej rozpowszechniona. Wszelkie sieci telekomunikacyjne przesyłają ten właśnie typ informacji. W przypadku cyfrowej modulacji intensywności zwykle wymagamy jedynie tego, aby przy przesyłaniu logicznego „0” przesyłana była jak najmniejsza moc optyczna (najlepiej 0 mW) a przy przesyłaniu logicznej „1” przesyłana moc była jak największa. Innym podziałem modulacji jest podział na modulację bezpośrednią i zewnętrzną. 32 Modulacja bezpośrednia polega na zmianie mocy wyjściowej samego źródła światła. Wykorzystuje się tu zależność mocy wyjściowej lasera od prądu. Zmiana prądu płynącego przez laser przekłada się niemal proporcjonalnie na zmianę mocy optycznej. W przypadku modulacji zewnętrznej laser stanowi tylko i wyłącznie źródło światła o stałej mocy. Modulacja mocy odbywa się poza laserem w elementach o regulowanym tłumieniu. Takie elementy nazywamy modulatorami. Na dzień dzisiejszy dwie najbardziej rozpowszechnione konstrukcje modulatorów to modulator elektrooptyczny Mach-Zendera i modulator elektroabsorpcyjny. Modulacja bezpośrednia jest najprostszym i najtańszym sposobem modulacji mocy optycznej. Polega ona na wykorzystaniu zależności mocy wyjściowej lasera od prądu przez ten laser płynącego. Charakterystyka P(I) lasera powyżej prądu progowego charakteryzuje się dobrą liniowością. Oznacza to, że w przypadku modulacji analogowej notujemy jedynie niewielki wpływ zniekształceń nieliniowych, które są głównym źródłem problemów przy projektowaniu systemów CATV. Stosowanie analogowej modulacji bezpośredniej jest więc w tych systemach jak najbardziej uzasadnione. Rys.1.21 Modulacja bezpośrednia A. Podobnie w przypadku modulacji cyfrowej. Zapis informacji zero-jedynkowej polega tu na włączaniu i wyłączaniu lasera. W celu włączenia lasera należy zwiększyć prąd do wartości maksymalnej (odpowiadającej maksymalnej mocy wyjściowej lasera). Wyłączanie lasera nie wymaga zmniejszenia prądu do wartości zerowej. Wystarczającym jest zmniejszenie prądu lasera poniżej wartości prądu progowego. Co więcej „napompowanie” lasera nośnikami do ilości wymaganej do rozpoczęcia akcji laserowej wymaga czasu. Czas ten nazywany czasem włączenia lasera (ang. Turn On Delay) i może stanowić istotne ograniczenie prędkości modulacji. Przy modulacji bezpośredniej istotnym zjawiskiem jest omówione już zjawisko migotania lasera (ang. chirping). Stosowanie w nadajnikach łączy optycznych laserów jednomodowych ma jeden zasadniczy cel: zmniejszenie szerokości spektralnej sygnału optycznego. Niestety przy modulacji bezpośredniej zjawisko migotania sprawia, że chwilowa długość fali zmienia się podczas trwania impulsu. Powoduje to o wiele większą szerokość spektralną impulsu niż wynika to z widma generowanego przez laser 33 światła. Ze względu na efekty dyspersji stanowić to może istotne ograniczenie przy transmisji na duże odległości. Istotnym z punktu widzenia użytkowania lasera zagadnieniem jest też impedancja elektrycznego wejścia lasera. Laser z punktu widzenia sygnału elektrycznego jest spolaryzowaną w kierunku przewodzenia półprzewodnikową diodą p-n. Tak jak w przypadku każdej diody p-n jego rezystancja złączowa jest w przewodzeniu mała. W przypadku laserów telekomunikacyjnych jest to kilka omów (np. ). Sygnał zaś, ze względu na dużą częstotliwość, doprowadzany jest do lasera liniami mikrofalowymi o impedancji . Na styku dwóch tak różnych impedancji dochodziłoby do odbicia sygnału w stronę źródła. Aby temu zapobiec konstruuje się obwód dopasowujący impedancję lasera do impedancji prowadnicy. Taki obwód dopasowujący nosi nazwę drivera. Rys.1.22 Modulacja bezpośrednia B. Modulacja bezpośrednia jest tanim i skutecznym sposobem zapewnienia modulacji mocy optycznej w nadajnikach optycznych. W wielu zastosowaniach jest też w dalszym ciągu metodą dominującą. Jednak ze względu na zjawiska relaksacji dielektrycznej w laserze, rozmiary lasera oraz pojemność diody laserowej pasmo pracy w praktycznych rozwiązaniach ograniczone jest do 10 GHz. W połączeniu ze zjawiskiem migotania lasera sprawia to, że ta technika modulacji stosowana jest do łączy krótkiego i średniego zasięgu o małych i średnich przepływnościach. Innym sposobem realizacji procesu modulacji mocy optycznej jest modulacja zewnętrzna. Laser staje się wtedy źródłem światła o stałej mocy. Proces modulacji odbywa się poza laserem w zewnętrznym przyrządzie o regulowanej transmisji – modulatorze zewnętrznym. Dwa najbardziej popularne modulatory to modulator elektrooptyczny Mach-Zender'a i modulator elektroabsorpcyjny. Działanie modulatora Mach-Zender'a opiera się o efekt elektrooptyczny, czyli o zależność parametru optycznego, jakim jest współczynnik załamania światła „n” w materiale, od natężenia pola elektrycznego E – n(E). Zależność, która znalazła zastosowanie w modulatorach to zależność liniowa zwana efektem Pockels’a (pierwszy wzór). Efekt Pockels’a występuje w wielu materiałach takich jak LiNio3, LiTao3, CdTe, GaAs, jednak najczęściej wykorzystywany jest niobian litu LiNio3. 34 Rys. 1.23. Modulacja zewnętrzna – efekt Pockels’a Wykorzystując fakt zależności współczynnika załamania światła w materiale od natężenia pola elektrycznego można zbudować komórkę Pockelsa - modulator fazy sygnału elektrycznego (element b na rysunku). Budując rodzaj kondensatora wypełnionego materiałem elektrooptycznym możemy, przy pomocy przyłożonego do okładek napięcia, regulować natężenie pola elektrycznego wewnątrz materiału. W ten sposób sterujemy wartością współczynnika załamania w materiale. Zmiana współczynnika załamania w materiale powoduje zmianę drogi optycznej w tym materiale. Przy stałej długości próbki powoduje to zmianę fazy sygnału optycznego na wyjściu zgodnie z dolnym wzorem na rys. Wykorzystując komórkę Pockels’a możemy zbudować interferometr Mach-Zender'a. W interferometrze Mach-Zender'a moc wejściowa dzielona jest na dwie równe części i przesyłana w kierunku wyjścia przyrządu dwoma gałęziami. W jednej z gałęzi umieszczona jest komórka Pockels’a. Przed opuszczeniem przyrządu sygnały z obu gałęzi są sumowane. Efekt sumowania zależy od różnicy faz pomiędzy sumowanymi falami świetlnymi. W skrajnym przypadku fazy sygnałów po przejściu przez gałęzie interferometru są jednakowe. Na sumatorze zachodzi wtedy interferencja konstruktywna – sygnał wyjściowy jest sumą sygnałów z poszczególnych gałęzi. W przeciwnym przypadku, gdy różnica faz wynosi 180^\circ\, otrzymujemy interferencje destruktywną – dwie fale wygaszają się – moc sygnału wyjściowego jest równa zero. Dla różnicy faz o wartości pośredniej otrzymujemy pośrednie wartości mocy wyjściowej. 35 Rys. 1.24. Modulacja zewnętrzna – interferometr Mach-Zendena. Jak widać istnieje możliwość kontroli transmisji światła przez przyrząd przy pomocy doprowadzonego napięcia – otrzymaliśmy modulator. Praktyczną realizacją modlatora Mach-Zender'a jest konstrukcja pokazana na rys.b. Wykorzystuje ona światłowód planarny zrealizowany na podłożu z niobianu litu. Analizę transmisji mocy optycznej przez modulator Mach-Zender'a w zależności od przesunięcia fazowego w ramionach modulatora przedstawiono na rys.1.25a, schematycznie podział sygnału fali elektromagnetycznej na dwie równe części oraz przesunięcie fazowe, jakiego doznaje sygnał optyczny w każdej z nich. Dla uproszczenia rachunków założono, że przesunięcie występuje w obu ramionach i posiada jednakową wartość, lecz przeciwny zwrot. Przy takich założeniach transmisja przez interferometr dana jest górną zależnością. Rys. 1.25 Analizę transmisji mocy optycznej przez modulator Mach-Zender'a w zależności od przesunięcia fazowego 36 Aby można było opisać rzeczywisty element należy uwzględnić straty wnoszone przez modulator (transmisja przez modulator nigdy nie będzie równa jedności), oraz zależność efektywności modulacji od częstotliwości doprowadzonego sygnału (współczynnik głębokości modulacji zależny od częstotliwości m(f)\,). Otrzymujemy wtedy dolne wyrażenie, którego wykres przedstawiono na rys.1.25.bb. Zaznaczone na rys.b punkty pokazują charakterystyczne napięcia pracy modulatora. Gdy modulator M-Z pracuje w punkcie A otrzymujemy modulator amplitudy doskonały do łączy analogowych. Praca pomiędzy punktami B i C to praca w trybie przełącznika – otrzymujemy przełącznik –modulator do łączy z transmisją cyfrową. Podstawowe parametry modulatora Mach-Zender’a to: – napięcie włączenia – jest to napięcie pierwszego maksimum na charakterystyce transmisji modulatora. Przy równych ramionach wynosi ono zwykle 0V. – napięcie przełączenia modulatora – jest to różnica napięć między maksimum a minimum transmisji modulatora. W łączach cyfrowych określa różnicę napięć pomiędzy stanami logicznymi. – straty wnoszone przez modulator – są to straty liczone między złączem wyjściowym, a złączem wejściowym modulatora. Modulatory mają zwykle wejście i wyjście wykonane w postaci światłowodów włóknistych. Jednocześnie sam przyrząd wykonany jest w technologii planarnej. Sprzężenia: na wejściu ze światłowodu włóknistego do planarnego i na wyjściu ze światłowodu planarnego do włóknistego są główną przyczyną strat modulatora M-Z. Straty modulatorów M-Z wynoszą zwykle 5÷6 dB. – 3dB pasmo pracy – jest to parametr określający częstotliwość dla jakiej współczynnik modulacji modulatora M-Z spada o 3dB. – współczynnik ekstynkcji – jest to stosunek maksymalnej do minimalnej transmisji mocy przez modulator. Dla modulatorów M-Z mieści się on zwykle w przedziale 20÷30 dB. Modulatory Mach-Zender’a zapewniają znacznie większe pasmo pracy niż bezpośrednia modulacja lasera. Ograniczeniem pasma jest w ich przypadku geometria przyrządu i czas przelotu światła przez przyrząd. Dla wysokich częstotliwości stosuje się konstrukcje z falą bieżącą (rys.), które rozwiązują ten problem. Pasmo pracy modulatorów Mach-Zendera z falą bieżącą sięga 100 GHz. Głównym ograniczeniem stosowania modulatorów Mach-Zender'a jest brak zgodności technologicznej z pozostałymi elementami optoelktronicznymi. To sprawia, że nie jest możliwa integracja lasera i modulatora na jednym podłożu – w jednym układzie. Poza tym ograniczeniem modulatory Mach-Zender'a stanowią najbardziej popularny sposób rozwiązania problemów z ograniczeniami narzucanymi przez modulację bezpośrednią. Mają bowiem znacznie szersze pasmo, oraz nie występuje w nich efekt migotania lasera. Sprawia to, że są głównym typem modulatora stosowanym w łączach długodystansowych o dużej przepływności. Drugim rozwiązaniem pozwalającym na zewnętrzną modulację mocy optycznej jest użycie modulatora elektroabsorpcyjnego. Modulator ten zbudowany jest z cienkich warstw półprzewodników o różnych szerokościach przerwy zabronionej. Na styku tych warstw tworzy się bariera potencjału. Gdy szerokość warstw zaczyna być porównywalna z długością fali De Broilie’a dla 37 elektronu, wtedy elektron zaczyna wykazywać silne własności falowe – pojawiają się efekty kwantowe. Rys. 1.26 Modulator elektroabsorpcyjny – struktura 5-warstwowa W jednorodnym półprzewodniku pasmo przewodnictwa jest powyżej przerwy zabronionej ciągłe. Oznacza to, że proces absorpcji może zachodzić dla szerokiego spektrum długości fali padających fotonów – szeroki jest bowiem zakres dostępnych dla elektronu energii. W omawianej strukturze warstw półprzewodnika jest inaczej. Pasmo przewodnictwa dzieli się na wąskie podpasma. Elektrony mogą przyjmować tylko energie z zakresu tych podpasm. Zamiast więc szerokiego zakresu pochłanianych długości fali otrzymujemy strukturę pochłaniającą selektywnie. Dodatkowo w takiej strukturze energia tych podpasm (a więc energia, czyli i długość fali światłą, jaką pochłania struktura) zależy od natężenia pola elektrycznego w półprzewodniku. Zmieniając natężenie pola elektrycznego zmieniamy długość fali światła, która jest pochłaniana przez przyrząd. Zaś gdy do struktury doprowadzimy stałą długość fali (taka właśnie sytuacja jest naturalna w łączach optycznych), wtedy zmiana natężenia pola elektrycznego powoduje zmianę transmisji przez modulator. 38 Rys. 1.27 Modulator elektroabsorpcyjny – sterownie mocą i właściwości Natężenie pola elektrycznego w modulatorze elektroabsorpcyjnym reguluje się tak jak w modulatorze M-Z czyli przy pomocy doprowadzonego do okładek napięcia. 39 2 Detektory promieniowania optycznego Detektory promieniowania elektromagnetycznego zasadniczo dzielimy na detektory fotonowe i detektory termiczne. Detektory fotonowe wykorzystujące zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne należą do grupy detektorów fotoprzewodzących i detektorów fotowoltaicznych a wykorzystujące zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne do detektorów fotoemisyjnych. Detektory termiczne wykorzystują efekt zmiany temperatury detektora wywołany absorpcją promieniowania elektromagnetycznego. Zasadniczo detektory fotoemisyjne pracują w zakresie UV do NIR. Detektory fotoprzewodzące pracują w zakresie od UV do IR. Detektory termiczne projektuje się głównie do detekcji promieniowania podczerwonego a ostatnio również dla promieniowania z zakresu THz. 3 Podstawowe parametry detektorów Do podstawowych parametrów fotodetektorów zaliczyć należy: wydajność kwantową , czułość S, charakterystyka widmowa, zakres dynamiczny Zdyn, czas odpowiedzi tr, moc równoważna szumu NEP, detekcyjność D. Wydajność kwantowa jest to liczba elektronów wytwarzanych przez jeden foton padający na powierzchnię światłoczułą detektora. ne 100% n p np –częstość padania fotonów; ne–częstość z jaką wytwarzane są elektrony Wartość na ogół nie przekracza 100%. Wydajność kwantowa zależy od długości fali. Niektóre detektory mogą mieć wydajność nawet 100% przy pewnych długościach fali. Najczęściej spotykane mają wydajność równą 30% i mniej. Czułość fotodetektora wyraża stosunek sygnału wyjściowego (prąd, napięcie) do strumienia światła oświetlającego detektor. Czułość fotodetektora związana jest z wydajnością kwantową detektora i dotyczy odpowiedzi detektora na określony strumień fotonów. Mówimy o czułości napięciowej SV jeżeli sygnałem odbieranym jest fotonapięcie lub o czułości prądowej SI jeżeli sygnałem odbieranym jest fotoprąd. SV SI U ph V W (3.1) I ph A W (3.2) Uph- sygnał napięciowy wytwarzany przez fotodetektor 40 Iph- prąd wytwarzany przez fotodetektor Φ- strumień światła padającego na fotodiodę Dla światła monochromatycznego o długości fali λ, czułość detektora wyznaczymy z definicji czułości prądowej. Strumień światła padającego Φ równy jest n p hf n p hc a fotoprąd I ne q q hc to podstawiając do wzoru na czułość prądową otrzymujemy S q hc Charakterystyka widmowa generalnie jest to zależność jakiegoś parametru od długości fali światła. W przypadku fotodetektorów mówimy o charakterystykach widmowych czułości detektora. Taka charakterystyka informuje nas możliwościach detekcji światła o danych długościach fali. Na rysunku poniżej (Rys. 3-1) przedstawiono charakterystykę widmową czułości prądowej fotodiody FGA21-CAL. Jest to fotodioda zbudowana na materiale InGaAs. Maksimum czułości fotodiody występuje dla długości fali 1490nm i wynosi ok. 1[A/W]. Dla światła o długościach fali większych od 1490nm obserwujemy drastyczny spadek czułości prądowej. Przy długości 1700nm czułość jest ponad 5x mniejsza od czułości maksymalnej. Dla światła o długościach mniejszych od 1490nm obserwujemy łagodniejszy spadek czułości i czułość 5x mniejszą od maksymalnej obserwujemy dla długości fali ok. 800nm. 41 Rys. 3-1 Charakterystyka widmowa czułości prądowej diody FGA21-CAL (InGaAs). Źródło: www.thorlabs.de. Zakres dynamiczny – miara zakresu strumienia świetlnego, w jakim detektor daje dokładny sygnał wyjściowy. Z dyn 20 log max min dB Czas odpowiedzi – czas w jakim detektor reaguje na zmianę strumienia światła na wejściu(Rys. 3-2). Określa się go dla odpowiedzi detektora na skokową zmianę strumienia światła. Mierzy się ten czas jako upływający między 10% i 90% maksymalnej wartości sygnału. Strumień światła na wejściu 90% Odpowiedź detektora 10% tr Rys. 3-2 Ilustracja wyznaczania czasu odpowiedzi detektora Moc równoważna szumu (NEP ang. Nosie equivalent power)- Jest to taka wartość skuteczna mocy promieniowania monochromatycznego o długości λ padającego na detektor, dająca na wyjściu sygnał o wartości skutecznej równej poziomowy szumu, znormalizowanego do jednostkowej szerokości pasma lub inaczej mówiąc jest to poziom oświetlenia wymagany do uzyskania na wyjściu detektora stosunku sygnał do szumu równego jedności. NEP może być stosowana do określania czułości widmowej detektora: Vn, In- napięcie, prąd szumu; Rv,Ri- czułość napięciowa, prądowa; SNR- stosunek sygnał szum; Φestrumień światła padającego W związku z tym, iż wartość skuteczna napięcia(prądu) szumów jest proporcjonalna do pierwiastka kwadratowego z szerokości pasma to NEP wyraża się również dla określonej szerokości pasma (najczęściej 1Hz)- NEP* i jest wyrażana w W/Hz1/2. Detekcyjność , wykrywalność D- parametr będący odwrotnością NEP. Wykrywalność, jak zauważył R.C.Jones, jest proporcjonalna do pierwiastka kwadratowego z powierzchni i dlatego definiuje się wykrywalność znormalizowaną D* odniesioną do jednostkowej powierzchni detektora i jednostkowej szerokości pasma. 42 Jednostką miary detekcyjności znormalizowanej jest cmHz1/2/W zwana jonsem. Im większa D* tym lepszy detektor 4 Detektory fotoprzewodzące (fotorezystory). Fotorezystory są to elementy, w których pod wpływem oświetlania następuje zmiana ich przewodności, przy czym przewodność nie zależy od kierunku przyłożonego do nich napięcia zewnętrznego. Przy wzroście strumienia fotonów padających na fotorezystor jego rezystancja maleje. Rys. 4-1 Generacja par elektron-dziura Fotorezystor buduje się w formie płytki półprzewodnikowej na której końcach znajdują się elektrody lub, szczególnie dla zakresu od UV do NIR, na powierzchnię nakłada się elektrody o grzebieniowej strukturze (Rys. 4-2b). Przekrój fotorezystora ilustruje rysunek poniżej(Rys. 4-2a). Na podłoże np. ceramiczne nanosi się warstwę półprzewodnikową. Materiały stosowane do budowy fotorezystorów to np. CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, CdHgTe. a) b) Rys. 4-2 Budowa fotorezystora a) przekrój b) widok elektrod 4.1 Fotorezystory do detekcji promieniowania X i γ. Do najbardziej popularnych materiałów na ten zakres widmowy zaliczamy domieszkowany litem german i krzem, CdTe i HgI2. Detektory krzemowe charakteryzuje duża wydajność kwantowa dla energii mniejszych niż 30keV. Jednak mała wydajność dla energii wyższych i potrzeba chłodzenia ograniczają poważnie zastosowania tych materiałów w celach zobrazowania rozkładu promieniowania X czy γ. Duża czystość germanu umożliwia osiągnięcie dobrej wydajności kwantowej 43 dla większych energii jednak potrzeba chłodzenia, podobnie jak w wypadku det. krzemowych ogranicza ich stosowalność w matrycach. Fotorezystory z CdTe i HgI2, ze względu na duży współczynnik absorpcji promieniowania oraz możliwość uzyskania dużej rozdzielczości przestrzennej i energetycznej bez potrzeby chłodzenia są częściej stosowane do budowy matryc na ten zakres widmowy. Lepszymi parametrami charakteryzuje się CdZnTe (o zawartości Zn od 4% do 20%) a dzięki opanowaniu technologii wytwarzania dużych monokryształów o dobrej jakości możliwe jest budowanie detektorów o powierzchni aż do 8x12cm2. 4.2 Fotorezystory na zakres UV. Właściwości takich materiałów jak GaN, AlN, i roztwory stałe AlxGa1-xN predysponują je do budowy fotorezystorów na zakres UV. Zmieniając zawartość AlN można regulować wielkość przerwy energetycznej od 3,4eV do 6,2eV, co odpowiada długościom fal od 365nm do 200nm. Aby detektory na ten zakres spektralny pełniły swoją rolę muszą być nieczułe, ślepe na światło słoneczne (ang.solar blind). Aby fotorezystor z GaN mógł konkurować z innymi detektorami pracującymi w tym zakresie stopień nieczułości (ang. rejection ratio) powinien być rzędu 106. W chwili obecnej udaje się uzyskać poziom 104. Takie fotorezystory nie mogą również konkurować pod względem szybkości odpowiedzi. Czas odpowiedzi rzędu milisekund spowodowany jest dużą gęstością centrów rekombinacyjnych w przerwie energetycznej oraz dużą gęstością dyslokacji. 4.3 Fotorezystory na zakres widzialny i NIR. Na ten zakres widmowy stosuje się takie materiały jak ZnS, CdS, CdSe, Si, GaAs, Ge. Rys. 4-3 Charakterystyki widmowe czułości względnej różnych fotorezystorów. Źródło: (Bielecki i Rogalski 2001). 44 Na rysunku powyżej (Rys. 4-3) przedstawiono wykresy widmowe czułości względnej fotorezystorów na zakres UV-NIR wykonanych z różnych półprzewodników. Materiały takie jak ZnS, CdS, CdSe, AsGe dają dużo węższe (bardziej selektywne), w porównaniu do Si i Ge, charakterystyki widmowe. Z ZnS otrzymamy fotorezystory czułe na światło fioletowe i niebieskie. CdS i CdSe dają maksimum czułości w zakresie 515-730nm. GaAs daje maksimum czułości dla 950nm. Z krzemu zrobimy forezytor czuły w zakresie od 400nm do 1100nm a z germanu w zakresie od 700nm do 1800nm. 4.4 Fotorezystory na podczerwień. Pierwsze fotorezystory na zakres 1-4µm były budowane z PbS już w roku 1933 a w czasach II wojny światowej zostały wykorzystane do celów militarnych. Po wojnie znalazły one zastosowanie w układach detekcji promieniowania podczerwonego, detekcji zanieczyszczeń i w armii do sterowania pociskami samonaprowadzającymi. Bardzo dobre parametry tych detektorów w temperaturze pokojowej umożliwiły budowę matryc. PbS posiada prostą przerwę energetyczną wynoszącą 0,37eV (3,3µm) w temp. pokojowej a w temp. 4K przesuwa się ona do 4,3µm. Do fotorezystorów na podczerwień stosuje się również PbSe. Dla tego materiału granica długofalowa, w temperaturze pokojowej, wynosi 4,8µm a w temp. 77K 7µm. Wiele prac naukowych poświecono roztworom stałym tellurku kadmowo rtęciowego HgCdTe. Według szacunków teoretycznych, materiał ten charakteryzuje się najlepszymi właściwościami do konstrukcji detektorów na podczerwień. Posiada duży współczynnik pochłaniania i najmniejszą szybkość generacji termicznej nośników. Te dwa parametry wpływają głównie na wykrywalność (D*) detektora. Przerwa energetyczna Hg1-xCdxTe zależy od zawartości CdTe. Fotorezystory z HgCdTe mogą pracować w zakresie 2-30µm. Inną grupę fotorezystorów na podczerwień stanowią detektory na bazie półprzewodników domieszkowanych (głównie german i krzem). Pierwszymi historycznie były fotorezystory na bazie domieszkowanego germanu. Detektory domieszkowane stosowane są w szerokim zakresie widma podczerwieni od kilku do 300µm. Nadal są podstawowymi detektorami stosowanymi dla długości fal większych niż 20µm. Ich charakterystyki widmowe zależą od rodzaju półprzewodnika i od rodzaju domieszki. Detektory te pracują w dużo niższych temperaturach niż fotorezystory niedomieszkowane. Niska temperatura pracy związana jest z mniejszą wartością współczynnika pochłaniania i większą generacją termiczną nośników. Należy zaznaczyć, że w tych detektorach absorpcja zachodzi między poziomem domieszkowym a pasmem przewodnictwa (walencyjnym). Współczynnik pochłaniania określony jest relacją: gdzie σp jest przekrojem czynnym fotojonizacji domieszki o koncentracji Ni. Typowe wartości współczynnika pochłaniania wynoszą 1-10cm-1 dla germanu i 10-50cm-1 dla krzemu. Do domieszkowania stosuje się takie materiały jak: In, Ga, As, Be, Zn. 45 4.5 Parametry fotorezystorów. Zależność rezystancji od natężenia światła padającego ma charakter nieliniowy i można ją przedstawić następująco: RF K E K- stała wartość E- natężenie oświetlenia - współczynnik zależny od rodzaju materiału z którego zrobiony jest fotorezystor, jego wartość wynosi od 0.5 do 1.0. Wyznaczenie rezystancji z podanego wzoru wymaga znajomości parametru K i . Ten sposób opisu zależności rezystancji od natężenia oświetlenia jest jednak rzadko stosowany. Na ogół, producenci podają wartość rezystancji dla kilku wartości natężenia oświetlenia np. 0lx, 10lx, 100lx itp. Wielkość rezystancji przy zerowym oświetleniu nazywana jest rezystancją ciemną Rd. Czasami producenci podają liczbę będącą stosunkiem rezystancji ciemnej do rezystancji przy danym oświetleniu Rxx( xxoznacza wielkość natężenia oświetlenia) n RD RXX Zalety fotorezystora: duża czułość dobra liniowość charakterystyk prądowo-napięciowych dość duża wartość dopuszczalnej mocy strat niska cena. Wady fotorezystora: Wrażliwość na temperaturę Dość duża bezwładność czasowa Powyższe właściwości określają zakres zastosowań fotorezystorów. Duża bezwładność (rzędu ms) i duża moc strat (do 1.5 W) narzuca ich wykorzystanie w układach pracujących z małą częstotliwością i tam gdzie wymagane są duże prądy fotodetektora np. w układach bezpośredniego sterowania przekaźnikami. Obszar największej czułości fotorezystorów przypada na zakres widzialny światła. Najczęściej zamiast charakterystyki widmowej czułości, producenci podają punkt maksymalnej czułości λmax. Struktury fotorezystorów umieszczane są w obudowach plastikowych (Rys. 4-4c) lub metalowych (Rys. 4-4d). Często jednak wykonuje się fotorezystory bez obudów (Rys. 4-4a, b). Powierzchnia fotorezystora zabezpieczona jest przed uszkodzeniem warstwą przezroczystą. Elektrody mogą być montowane prostopadle (Rys. 4-4 a, c, d) lub równolegle (Rys. 4-4b) do struktury półprzewodnikowej. Występują również fotorezystory z zamontowanym filtrem optycznym, pozwalającym odcięcie składowych widma promieniowania optycznego z zakresu ultrafioletu i 46 podczerwieni. Ponadto zastosowanie filtrów optycznych pozwala na selektywne ukształtowanie charakterystyki widmowej czułości fotorezystora. a) b) d) c) Rys. 4-4 Obudowy fotorezystorów Parametry fotorezystorów M996011A i B podawane przez producenta na przykładzie noty katalogowej na stronie www.tme.pl: Temperatura pracy: od -20°C do +70°C Vmax: 100 V Pmax: 200 mW λp: 600 nm Wymiary (bez wypr.): 5,2 x 5,2 mm Max. grubość: 1,5 mm Raster wyprowadzeń: 3,5 mm Producent: PerkinElmer Symbol R10 R100 R01MIN [kΩ] [kΩ] [kΩ] M996011A 1,5 - 5 0,7 150 M996011B 0,8 - 2 0,4 150 Opisywane fotorezystory mają typowy zakres temperatur pracy od -20°C do +70°C. Długość fali λp opowiadająca maksymalnej czułości wynosi 600nm. Napięcie maksymalne Vmax=100V świadczy o możliwości pracy elementu w układach zasilanych wyższymi napięciami. Duża moc strat Pmax=200mW pozwala na wykorzystanie fotorezystora w układach bezpośredniego sterowania elementami wykonawczymi. 47 Przykład Oświetlając fotorezystor M996011A światłem o natężeniu 100lx jego rezystancja uzyska wartość 0,7kΩ. Przy założeniu maksymalnej mocy strat 200mW otrzymamy prąd maksymalny równy 17mA. Jest to wartość już wystarczająca do włączenia małego przekaźnika czy zapalenia diody w transoptorze. W tabeli zamieszczono wartości rezystancji fotorezystora dla trzech wartości natężenia oświetlenia, 100lx, 10lx i 0,01lx (rezystancja ciemna). Posiadając te dane można uzyskać postać analityczną zależności rezystancji fotorezystora od natężenia oświetlenia wyznaczając parametry K i równania XX. Na rysunku poniżej pokazano sposób wyznaczenia tych parametrów wykorzystując funkcję pwrfit arkusza MathCAD. W wyniku obliczeń uzyskano następującą zależność RF(E) dla fotorezystora M996011A: Trzy punkty dają oczywiście niezbyt dużą dokładność dopasowanie. W sytuacji gdy wymagana jest większa dokładność należałoby dokonać kalibracji fotorezystora. 48 Typowe układy polaryzacji fotorezystorów przedstawiono na schematach poniżej. Poniżej (Rys. 4-5) przedstawiono najprostszy, bezpośredni układ zasilania fotorezystora. Fotorezystor RF wraz z rezystancją obciążenia RL podłączone są do źródła zasilającego Vz. Napięcie na rezystancji obciążenia wyznaczamy z równania dzielnika napięcia: 49 U o Vz RL RL RF Wzrost natężenia światła oświetlającego fotorezystor powoduje spadek jego rezystancji. Rośnie prąd w obwodzie a co za tym idzie rośnie spadek napięcia na rezystancji obciążenia Vz RF RL Uo Rys. 4-5 Schemat podłączenia fotorezystora. Przykład Do dyspozycji są przekaźniki o następujących parametrach: Przekaźnik Ucewki Ucewkimin Ucewkimax Pcewki Rcewki [V] [V] [V] [mW] [Ω] A 9 6,3 22,9 480 200 B 18 12,6 45,9 480 710 C 24 16,8 61,2 480 1440 D 48 33,6 122,4 480 5700 Sprawdź czy możliwe będzie załączenie przekaźników Pr sterowanych bezpośrednio forezystorem RF (Rys. 4-6) światłem o natężeniu E≥100lx. Do sterowania wykorzystaj fotorezystor M996011A. Pamiętaj o dopuszczalnych parametrach pracy fotorezystora i przekaźnika. UR Pr UR RF Vz Rys. 4-6 Schemat układu bezpośredniego sterowania przekaźnikiem. Dla światła o natężeniu E=100lx rezystancja fotorezystora będzie równa 700Ω. Prąd w obwodzie , Napięcie zasilające 50 Przekaźnik A: Prąd w obwodzie: Napięcie zasilania: Moc strat na przekaźniku: Moc strat na fotorezystorze: Przekaźnik B: Prąd w obwodzie: Napięcie zasilania: Moc strat na przekaźniku: Moc strat na fotorezystorze: Przekaźnik C: Prąd w obwodzie: Napięcie zasilania: Moc strat na przekaźniku: Moc strat na fotorezystorze: Przekaźnik D: Prąd w obwodzie: Napięcie zasilania: Moc strat na przekaźniku: Moc strat na fotorezystorze: Przekaźniki A i B nie mogą być wykorzystane ponieważ w warunkach załączenia przekaźnika przekroczona zostanie dopuszczalna moc strat na fotorezystorze. Przekaźnik C mógłby być wykorzystany pod warunkiem nieznacznego zmniejszenia napięcia zasilające, tak by zmniejszyć moc strat z 202mW do 200mW oraz pod warunkiem niedopuszczenia do oświetlenia fotorezystora światłem o natężeniu większym od 100lx. Rozwiązaniem najlepszym jest zastosowanie przekaźnika D. Moc strat na fotorezystorze jest 4x mniejsza od dopuszczalnej a więc dopuszczalne będzie oświetlanie fotorezystora światłem większym od 100lx bez obawy przekroczenia wartości maksymalnych. 51 Prezentowany układ mimo prostoty ma wiele wad. Wymaga stosowania wysokich napięć (kilkadziesiąt V). Pobiera stosunkowo dużo energii. Jest niekonfigurowany. Zmiana parametrów pracy wymaga dobrania nowego fotorezystora lub przekaźnika. Lepszym rozwiązaniem jest wykorzystanie tranzystora do sterowania przekaźnikiem. Przykładowe schematy takich układów zaprezentowano na rysunku poniżej. RP RF RF RP R2 R1 Rys. 4-7 Schematy układów sterowania z wykorzystaniem tranzystora. Prąd kolektora jest β razy większy od prądu bazy (Rys. 4-7a). IC * I B To oznacza, że prąd płynący przez fotorezystor jest wielokrotnie mniejszy od prądu potrzebnego do załączenia przekaźnika. W układzie możliwe jest obniżenie napięcia Vz i zastosowanie przekaźników o mniejszym napięciu zasilającym niż w przypadku układu z bezpośrednim sterowaniem (Rys. 4-5). Wartość napięcia zasilającego można wyznaczyć ze wzoru: IB Vz U BE RF Układ ten nie posiada jednak żadnych elementów regulacji. Regulacja momentu załączenia przekaźnika mogłaby by być uzyskana przez połączenie szeregowe potencjometru i fotorezystora lub zastosowanie dzielnika napięciowego tak jak to jest pokazane na rysunku (Rys. 4-7b). Rezystory RF, R1, R2 stanowią dzielnik napięcia a spadek napięcia na rezystorach R1 i R2 steruje bazą tranzystora. Znając rezystancję przekaźnika i prąd potrzebny do jego załączenia wyznaczamy napięcie sterujące bazą (przyjmujemy UBE=0.7V): U B U BE I E RP Znamy również wartość prądu bazy: . 52 Zakładamy, że prąd bazy jest znikomy w porównaniu z prądem płynącym przez dzielnik: ID Vz 10 I B R1 R2 RF U B I D R1 R2 5 Detektory fotowoltaiczne. 5.1 Fotodioda Elementy złączowe pracujące w oparciu o zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne p-n p-i-n Schottky’ego Lawinowe Rys. 5-1 Fotodiody – różne wykonania. 5.1.1 Budowa fotodiody p-n. Na styku materiałów półprzewodnikowych różnie domieszkowanych powstaje złącze (Rys. 5-2). 53 Rys. 5-2 Ruch par elektron-dziura w złączu Nośniki większościowe materiału „typu n” tzn. elektrony przemieszczają się przez złacze w stronę materiału „typu p”. Podobnie dziury jako nośniki większościowe w materiale „typu p” przemieszczają się, przechodząc przez złącze, w stronę materiału „typu n”. Taki ruch powoduje powstanie wewnętrznego pola elektrycznego tworzącego barię potencjału ograniczającą ruch pozostałych nośników większościowych. W rzeczywistości ruch nośników większościowych nieustaje ponieważ ich przelyw równoważy ruch nośników mniejszościowych generowanych termicznie. Oświetlenie obszaru złącza powoduje generację par elektron-dziura. W wyniku działania pola elektrycznego elektrony przesuwają się w stronę obszaru „n” a dziury w stronę obszaru „p”. Aby wykryć powstałe ładunki należy zastosować jeden z dwóch trybów detekcji - tryb fotowoltaiczny lub tryb fotoprzewodnictwa. 5.1.2 Praca w trybie fotowoltaicznym W trybie fotowoltaicznym dioda pracuje w układzie otwartym(Rys. 5-3). Pod wpływem światła generowane są pary elektron-dziura. W wyniku działania wewnętrznego pola elektrycznego elektrony dryfują do krańców obszaru zubożonego i od obszaru „typu n” do obszaru „typu p” płynie prąd Iph (fotoelektryczny). Prąd fotoelektryczny obniża napięcie na obszarze zubożonym a więc także barierę potencjału. Mniejsza bariera potencjału umożliwia wnikanie nośników większościowych do bariery. Zaczyna płynąć prąd If w kierunku przewodzenia. Prądy Iph i If równoważą się ponieważ na zewnątrz nie płynie żaden prąd. Uzyskujemy jednak zmniejszenie bariery potencjału a między anodą i katodą pojawia się różnica potencjałów zwana napięciem fotoelektrycznym 54 Obszar p Iph + V + - If Obszar n Rys. 5-3 Ruch nośników ładunku w złączowej diodzie pn pracującej w trybie fotowoltaicznym Schemat podłączenia diody dla trybu fotowoltaicznego przedstawiono na rysunku poniżej. Rys. 5-4 Schemat podłączenia diody w trybie fotowoltaicznym. W trybie tym wymagane jest by rezystancja obciążenia RL była dużo większa od rezystancji dynamicznej diody RD. Fotodiody o dużej powierzchni mają RD równą ok. 500kΩ, mniejsze fotodiody mają RD rzędu kilkudziesięciu MΩ, w tej sytuacji wymagana jest duża wartość RL(1GΩ i więcej). Taką rezystancję obciążenia uzyskujemy podłączając fotodiodę do wejścia wtórnika źródłowego (tranzystor FET, MOS) lub do wejścia wtórnika napięciowego zbudowanego w oparciu o wzmacniacze operacyjne z wejściem FET czy MOS. Fotoprąd generowany w złączu pn dany jest następującą zależnością: qU ph 1 I ph I 0 exp k T B W temperaturze pokojowej T=300K można pominąć 1 we wzorze ponieważ: 55 qU ph 1 exp k BT Co daje nam prostszą zależność na wielkość fotoprądu qU ph I ph I 0 exp k T B Po przekształceniu tego wzoru otrzymujemy zależność na fotonapięcie Uph. k T I ph U ph B ln q I 0 Wiemy, że wielkość fotoprądu jest proporcjonalna do gęstości generowanych nośników. I ph q hc Stąd otrzymujemy zależność fotonapięcia od strumienia światła wzbudzającego fotodiodę k T U ph B ln q I 0 hc Widzimy że jest to zależność nieliniowa (logarytmiczna). Bezpośredni związek między fotoprądem a strumieniem światła wzbudzającego uzyskujemy stosując tryb fotoprzewodnictwa. Poprawę liniowości można uzyskać stosując małą rezystancję RL. Mała rezystancja obciążenia to jednak mały, często niemierzalny sygnał wyjściowy. Schemat układu wzmacniacza napięciowego zbudowanego w oparciu o wzmacniacz operacyjny przedstawiono na (Rys. 5-5). + VF1 R2 VF2 R1 D2 + OP2 - 56 Rys. 5-5 Schemat wzmacniacza napięciowego. Fotonapięcie Uph generowane na fotodiodzie D2 wzmacniane jest 1+(R2/R1) razy. R2 U out U ph 1 R1 5.1.3 Praca w trybie fotoprzewodnictwa W trybie fotoprzewodnictwa fotodioda jest spolaryzowana zaporowo („+” do obszaru n – katody a „” do obszaru p – anody). Polaryzacja powoduje, że nośniki większościowe wyciągane są z obszaru zubożonego. Elektrony poruszają się w kierunku obszaru „typu n” a dziury w kierunku obszaru „typu p”. Następuje poszerzenie obszaru zubożonego. W złączu płynie jedynie prąd Ith spowodowany termiczną generacją nośników mniejszościowych. Pary elektron-dziura generowane strumieniem światła wzbudzającego wyciągane są przez pole elektryczne z obszaru zubożonego tworząc fotoprąd Iph płynący w tym samym kierunku co prąd generowany termicznie. Obszar p + + Iph Para generowana termicznie Ith Obszar n Rys. 5-6 Ruch nośników ładunku w złączowej diodzie pn pracującej w trybie fotoprzewodnictwa. Schemat układu przedwzmacniacza (konwertera I-U) przedstawiono na rysunku poniżej. 57 R1 Iph D1 UR1 OP1 ++ Uout U bias Rys. 5-7 Schemat konwertera prąd-napięcie. Fotodioda (D1) spolaryzowana jest zaporowo napięciem Ubias. Fotoprąd generowany prze fotodiodę jest równoważny prądowi płynącemu przez rezystor R1 (pomijamy prąd niezrównoważenia wzm. operacyjnego). Napięcie wyjściowe Uout jest równe napięciu odkładającemu się na rezystorze R1 tylko że ma odwrotną polaryzację. U out I ph R1 Przekrój struktury fotodiody przedstawiono na rysunku (Rys. 5-8a). W strukturę „typu n”, stanowiącą podłoże wdyfundowano warstwę „typu p”. Na styku dwóch półprzewodników powstaje obszar zubożony. Dolną część podłoża pokrywa się warstwą metaliczną, zwiększającą kontakt elektryczny. Podłoże jest katodą fotodiody. Górną część struktury zakrywa się warstwą izolatora (SiO2) zostawiając odkrytą część obszaru wdyfundowanego. Przez to okno docierają fotony do obszaru zubożonego. Do powierzchni tego obszaru montuje się elektrodę nazywaną anodą. Na rysunku (Rys. 5-8b) przedstawiono zdjęcie popularnej fotodiody BPW21R. 58 a) b) Rys. 5-8 a) Budowa wewnętrzna fotodiody b) zdjęcie fotodiody BPW21R. Struktura półprzewodnikowa o powierzchni 7.5mm2 przylutowana jest do podłoża metalowej obudowy stanowiącej katodę. Anoda, poprzez ceramiczny przepust wprowadzona jest wnętrza obudowy i jest połączona cienkim przewodem z górną warstwą struktury. Obudowa fotodiody zamknięta jest filtrem optycznym kształtującym czułość widmową fotodiody. Fotodiodę BPW21R zaprojektowano tak by jej czułość widmowa miała kształt czułości oka ludzkiego. Maksimum czułości przypada na długość fali równą 565nm i wynosi 9[nA/lx]|Vr=5V. Bardzo wysoka rezystancja ciemna RD=5GΩ pozwala na uzyskanie liniowych zmian fotoprądu przy zmianach natężenia światła w 6-cio dekadowym zakresie. Więcej parametrów zarówno tej fotodiody jak i podobnej – BPW20RF zgromadzono w tabeli poniżej. Tabela 5-1 Podstawowe parametry fotodiod BPW20RF i BPW21R. Parametr/Symbol BPW20RF Powierzchnia światłoczuła 7,5mm Kąt połówkowy ±50° ±50° Charakterystyka U0/mV (EA=1klx) 500 450 Charakterystyka IK/µA (EA=1klx) 60 9 (>4,5) tr,tf/µs @ RL/kΩ (Iph = 100µA) 3,4µs @ 1kΩ 3,5µs @ 1kΩ Długość fali w punkcie max czułości 920 nm 565 nm Zakres długości fali 550...1040 nm 420...675 nm 2 BPW21R 7,5mm 2 59 5.2 Fotodioda p-i-n Anoda Obszar p++ Półprzewodnik samoistny Obszar typu n n-Kontakt Rys. 5-9 Budowa diody p-i-n. W diodzie p-i-n wprowadzono dodatkowo warstwę półprzewodnika samoistnego między obszarami p i n. Dzięki temu zwiększono wielkość obszaru zubożonego a co za tym idzie zwiększono prawdopodobieństwo przechwycenia fotonu. Takie diody charakteryzują się krótszym czasem odpowiedzi (τ<1ns)niż zwykłe diody pn. Fotodioda p-i-n ma mniejsze szumy i prądy upływu. . Rys. 5-10 Popularne diody p-i-n Diody p-i-n , prezentowane na zdjęciach (Rys. 5-10) są wykonane z krzemu i mają powierzchnię taką samą jak prezentowane wcześniej diody BPW20RF i BPW21R (7,5mm2). Są one zamknięte w obudowach w obudowach plastikowych co ogranicza ich czułość w zakresie krótkich fal. Plastik obudowy fotodiody BP104 zmniejsza także jej czułość w zakresie widzialnym. Diody te wykonane są z 60 krzemu co oznacza, że ich czułość widmowa leży w obszarze do ok.1050nm. Podstawowe parametry tych diod zgromadzono w tabeli poniżej. Tabela 5-2 Podstawowe parametry fotodiod p-i-n: BP104 i BPW34 Parametr/Symbol BP104 BPW34 Filtr podczerwieni Tak Nie Powierzchnia światłoczuła 7,5mm Kąt połówkowy ±65° ±65° Długość fali w punkcie max czułości 950nm 950nm Charakterystyka Ira/µA @ λ(Ee=1mW/cm , UR=5V) 45 (>40) @ 950nm 50 (>40) @ 950nm tON/ns @ RL/Ω, λ = 820nm, UR=5V 100ns @ 1000Ω 100ns @ 1000Ω 2 2 7,5mm Producent 2 VISHAY 5.3 Fotodioda Schottky’ego Warstwę „typu p” zastąpiono cienką warstwą złota (ok.15nm) (Rys. 5-11). Anoda Obszar zubożony Obszar typu n n-Kontakt Rys. 5-11 Budowa diody Schottky’ego. Napięcie polaryzujące diodę wytwarza obszar zubożony bezpośrednio pod warstwą złota. Warstwa zubożona powstaje blisko obszaru absorpcji promieniowania, dzięki czemu takie diody są czułe na promieniowanie UV i niebieskie. Warstwa złota odbija promieniowanie czerwone, dlatego czułość diod Shottky’ego jest mała w tym obszarze widma. Diody Shottky’ego są szybkie, porównywalne do fotodiod p-i-n. Niestety nie nadają się do detekcji silnych sygnałów i nie mogą pracować w wysokich 61 temperaturach. Do zalet tych fotodiod należy zaliczyć możliwość wytwarzania elementów o dużych powierzchniach czynnych. 5.4 Fotodioda lawinowa Nośniki generowane w obszarze zubożonym dryfują dzięki silnemu polu elektrycznemu wytworzonemu między warstwami p i n-. Każdy elektron otrzymuje taka energię że może wzbudzić inne. Powstaje lawina elektronów. Dzięki wewnętrznemu wzmocnieniu uzyskuje się dużo większe fotoprądy (od 50 do 300 razy). Fotodiody lawinowe polaryzuje się napięciami bliskimi przebiciu (od 300V do 500V). Wymagana jest bardzo dokładna stabilizacja nap. polar. (0.1V) i temperatury. Fotodiody lawinowe stosowane są do detekcji słabych sygnałów Kontakt Obszar p+ Obszar p obszar nKontakt Pole elektryczne Rys. 5-12 Budowa diody lawinowej. 5.5 Fototranzystor Emiter n K Obszar p Obszar typu n E Kolektor 62 Rys. 5-13 Budowa fototranzystora a) , symbol fototranzystora b). Fototranzystor jest następnym po fotodiodzie lawinowej elementem wzmacniającym fotoprąd. Złącze baza-kolektor jest spolaryzowane zaporowo i działa jak zwykła fotodioda. Złącze baza emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Fotoprąd generowany na złączu baza-kolektor powoduje obniżenie bariery potencjału na złączu (podobnie jak prąd bazy w zwykłym tranzystorze). To powoduje wzrost prądu między emiterem i kolektorem. Wzmocnienie fotoprądu wynosi od 50 do 300. Fototranzystor daje większe prądy wyjściowe niż fotodioda jednak charakteryzuje się słabszą liniowością i mniejszym czasem odpowiedzi. 5.6 Fotoogniwo Fotodioda jak i fotoogniwo określają tryb pracy tego samego elementu, którym jest złącze p–n. Wspólna jest zasada pracy tych elementów, oparta na zjawisku fotoelektrycznym wewnętrznym. Parametry fotoogniw optymalizuje się pod kątem pozyskiwania energii słonecznej – duża sprawność, szeroka charakterystyka widmowa itp. Fotoogniwa mają większe powierzchnie niż fotodiody. Pracują przy dużym oświetleniu. Fotoogniwa wykonywane są w różnych technologiach oraz stosuje się różne materiały półprzewodnikowe do ich budowy. Do podstawowych typów fotoogniw zaliczymy: Ogniwa krzemowe (crystalline silicon cells) – wykonane są w różnych technologiach (np. monokrystaliczny krzem, polikrystaliczny krzem), są obecnie najczęściej używane, najwyższa wydajność komercyjnie dostępnych ogniw krzemowych wynosi 22%, natomiast teoretyczna 29%. Ogniwa cienkowarstwowe (thin film cells) – wykonane są z cienkich warstw materiału fotowoltaicznego (np. amorficzny krzem, CdTe, CIGS) naniesionych na podłoże, wydajność komercyjnych ogniw wynosi ok. 15%, natomiast teoretyczna 20%. Ogniwa wielozłączowe (multijunction cells) – wykonane są z wielu cienkich warstw, które mają dopasowaną szerokość przerwy zabronionej do konkretnego zakresu promieniowanie słonecznego, do produkcji używa się indu, germanu, galu i arsenu, ogniwa tego typu osiągnęły rekordową wydajność konwersji promieniowania słonecznego na energię elektryczną – 40,7%. Ogniwa organiczne (organic solar cells) – wykonane z materiałów organicznych umieszczonych pomiędzy górną elektrodą zrobioną z przeźroczystej elektrody (ITO) a dolną, wykonaną z metalu, wydajność ogniw organicznych wynosi ok. 5%. 5.7 Detektory z supersieci i studni kwantowych. Supersieć składa się z powtarzających się okresowo cienkich warstw półprzewodników o przemiennie większej i mniejszej przerwie energetycznej. Pomniejszanie grubości warstwy półprzewodnika do wielkości nanometrowych prowadzi do ujawniania się efektów kwantowych w półprzewodniku. Taki półprzewodnik charakteryzuje się zupełnie nowymi, ciekawymi własnościami. W paśmie przewodnictwa i walencyjnym tworzą się podpasma(Rys. 5-14). … 63 Rys. 5-14 Podpasma w paśmie przewodnictwa. Poprzez dobór materiałów oraz grubości barier i studni możliwe jest modulowanie położeniem podpasm. 6 Detektory fotoemisyjne. Działanie detektorów fotoemisyjnych polega na uwalnianiu elektronów z materiału w celu detekcji padającego światła. Wymagane jest stosowanie lamp próżniowych Niewygodne w użyciu, kruche Wypierane przez elementy półprzewodnikowe Aktualnie stosowane są jeszcze dwa tego typu urządzenia Fotopowielacz Lampowy wzmacniacz obrazu 6.1 Fotopowielacz Fotopowielacz zbudowany jest z fotokatody, anody i zestawu dynod umieszczonych w rurze próżniowej (Rys. 6-1). Fotokatoda wykonana jest z półprzewodnika lub metalu o małej pracy wyjścia (mniejsza praca wyjścia, detekcja dłuższych fal promieniowania). Fotokatoda eDynody Anoda R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 RL Uwy R8 Rys. 6-1 Budowa fotopowielacza. Dynody pokryte są materiałami o dużym współczynniku emisji wtórnej. Fotony o wystarczająco dużej energii uwalniają elektrony z fotokatody. Uwalniane elektrony przyciągane są przez pierwszą dynodę. Elektrony, uderzając w dynodę wybijają z niej kolejne elektrony. Elektrony wybite z dynody przyciągane są przez następną dynodę, ponieważ ta posiada potencjał dodatni wyższy niż poprzednia. Sytuacja powtarza się dla kolejnych dynod. Ostatecznie, wybite elektrony osiągają anodę na której może pojawić się impuls elektryczny (nawet milion elektronów wybitych przez jeden foton). Grubość fotokatody to sprawa krytyczna. Zbyt gruba to fotony nie docierają w głąb i nie następuje emisja elektronów. Zbyt cienka to fotony nie są pochłaniane, co ogranicza emisję elektronów. Różnica 64 napięć między dynodami to 200, 300V. Potencjał fotokatody to ok. -3kV. Współczynnik emisji wtórnej wynosi od 4 do 6. Liczba dynod zwykle wynosi od 10 do 14. Największą długość fali wykrywalną przez fotopowielacz wyznaczymy ze znajomości pracy wyjścia materiału fotokatody: hc λ- górna graniczna długość fali h- stała Plancka c- prędkość światła Φ- praca wyjścia Wzmocnienie fotopowielacza rośnie δ-krotnie przy dodaniu kolejnej dynody. Dla N dynod wzmocnienie fotopowielacza jest równe: G N G – wzmocnienie fotopowielacza N – liczba dynod δ – średnia emisja elektronów wtórnych na jeden elektron padający (współczynnik emisji wtórnej Przykład Jeżeli materiał fotokatody ma pracę wyjścia 1.5eV to jaka będzie długofalowa granica działania fotopowielacza: Przykład Fotopowielacz ma 12 dynod i w ciągu sekundy dociera do niego 1000 fotonów. Dla danej długości fali wydajność kwantowa wynosi 10% a współczynnik emisji wtórnej 4,5. Jaki jest sygnał prądowy uzyskiwany na wyjściu fotopowielacza? Wzmocnienie wynosi: G=δN=4,512=68 953·106 Całkowita liczba elektronów na wyjściu w ciągu 1s: 1000·0,1·68 953·106=68 953·108 Całkowity prąd na wyjściu fotopowielacza to: 68 953·108·1,6·10-19=0,1nA 6.2 Lampowy wzmacniacz obrazu Lampowe wzmacniacze obrazu służą do uzyskiwania obrazów przy bardzo niskim poziomie światła (astronomia, fotografia nocna). Pierwsze wzmacniacze obrazu (I generacja) były lampami próżniowymi z ogniskowaniem elektrostatycznym (Rys. 6-2). 65 ekran z luminoforem fotokatoda e- e- Soczewki elektrostatyczne 10kV Rys. 6-2 Budowa wzmacniacza obrazu I generacji. Fotony padające na fotokatodę powoduję emisję fotoelektronów proporcjonalną do natężenia światła. Elektrony te są ogniskowane za pomocą układu soczewek elektrostatycznych. Wysokie napięcie przyłożone do ekranu pokrytego luminoforem przyspiesza zogniskowane elektrony, które po zderzeniu z ekranem powodują emisję fotonów. Jeden elektron może spowodować emisję nawet do 2000 fotonów. W zależności o materiału z jakiego wykonano fotokatodę możliwe jest wzmacnianie zarówno promieniowania z zakresu widzialnego, UV jak i podczerwieni. Wzmacniacze obrazu II generacji wykorzystują płytki mikrokanałowe. Płytka mikrokanałowa to sieć mikroskopijnych szklanych rurek pokrytych warstwą rezystancyjną, o średnicach 10-20μm, pochylonych w stosunku do prostopadłej płytki (Rys. 6-3). 66 25µm Elektrony wtórne 1,5kV Rys. 6-3 Budowa płytki mikrokanalikowej. Potencjał dodatni (100V)przyłożony do płytek przyspiesza fotoelektrony wchodzące do kanałów pierwszej płytki (Rys. 6-4). płytki mikrokanalikowe fotokatoda ekran z luminoforem Impuls ≈ 106 elektronów e- 100V 3kV 10kV Rys. 6-4 Lampowy wzmacniacz obrazu II generacji. Przyspieszone fotoelektrony trafiają na ścianki kanału, co powoduje emisję elektronów wtórnych. Sytuacja powtarza się aż do momentu wyjścia z płytki. Po wyjściu z pierwszej płytki elektrony trafiają do płytki drugiej. Wzmocnienie fotoelektronów jest rzędu 106 (dla dwóch płytek). Elektrony, po przejściu drugiej płytki, przyspieszone potencjałem 10kV trafiają na ekran z luminoforem powodując generację fotonów. Całkowite wzmocnienie (stosunek fotonów na wyjściu do fotonów padających na fotokatodę) wynosi od 108 do 109. 67 7 Detektory termiczne Pomiar temperatury Promieniowanie cieplne Absorber W detektorach termicznych następuje zamiana energii promieniowania na ciepło. Sygnał wyjściowy jest wynikiem zmian pewnych właściwości detektora zależnych od temperatury np. siły termoelektrycznej, rezystancji czy pojemności elektrycznej, ciśnienia, współczynnika absorpcji optycznej itp. Część aktywna, absorbująca padające promieniowanie nazywana jest absorberem(Rys. 7-1). Strumień ciepła, generowany w wyniku absorpcji promieniowania, przekazywany jest do elementu pomiarowego przetwarzającego zmiany temperatury na sygnał użyteczny. Zmiana temperatury Rys. 7-1 Idea działania detektorów termicznych. Absorber można przedstawić w modelu fizycznym jako element o pewnej pojemności cieplnej Cth połączony z otoczeniem przewodnością cieplną Gth(Rys. 7-2). Otoczenie (h) Gth Cth, T+T I Cth Rth Rys. 7-2 a) Model fizyczny absorbera b) elektryczny schemat zastępczy Przyrost temperatury ΔT absorbera spowodowany zaabsorbowanym strumieniem mocy Φ otrzymamy rozwiązując równanie bilansu ciepła: Gth T Cth dT dt Jeżeli strumień promieniowania padającego na absorber jest modulowany periodycznie w czasie tzn. 68 gdzie Φ0 jest amplitudą a f jest częstotliwością modulacji to rozwiązaniem równania bilansu ciepła jest T T0 e Gth / Cth t 0 e jt Gth jCth Pierwszy człon rozwiązania (człon niestacjonarny) maleje z czasem do zera. Drugi człon równania wyraża periodyczne zmiany temperatury absorbera. Amplituda tych zmian jest funkcją częstotliwości modulacji i dana jest równaniem: Rth=1/Gth jest rezystancją termiczną a th=CthRth jest termiczną stałą czasową. Jeżeli przyjmiemy, że pewien parametr K określa związek między zmianą temperatury absorbera a sygnałem napięciowym detektora tzn. K=ΔV/ΔT to czułość napięciową detektora termicznego przedstawimy następująco: Czułość napięciowa Rv detektora ma charakterystykę częstotliwościową typową dla filtru dolnoprzepustowego 1-go rzędu. W zakresie niskich częstotliwości modulacji (ω<<1/th) czułość napięciowa jest proporcjonalna do rezystancji termicznej Rth i nie zależy od pojemności cieplnej Cth. Natomiast w zakresie wysokich częstotliwości modulacji (ω>>1/th)czułość napięciowa nie zależy od Rth i jest odwrotnie proporcjonalna do pojemności cieplnej. Spadek 3dB czułości napięciowej występuje dla częstotliwości charakterystycznej fth=1/(2th). Jeżeli dążymy do uzyskania dużej czułości detektora to musimy liczyć się z pogorszeniem jego szybkości odpowiedzi (wzrost stałej czasowej). Dla detektorów termicznych typowa wartość stałej czasowej wynosi kilka milisekund i jest znacznie większa od stałej czasowej detektorów fotonowych. Do podstawowych detektorów termicznych zaliczamy: Termopary – wykorzystują zjawisko powstawania siły termoelektrycznej na styku dwóch metali Bolometry- wykorzystują zjawisko zmiany rezystancji elektrycznej materiałów wywołanych zmianami temperatury Piroelektryki – wykorzystują zjawisko indukowania siły elektromotorycznej związanej ze zmianą temperatury materiałów Komórka Golaya – mierzą zmiany ciśnienia gazu wywołane zmianami temperatury Z absorbcją krawędziową – wykorzystują zależność współczynnika absorpcji optycznej od temperatury Piromagnetyczne - wykorzystują zmiany właściwości magnetycznych materiałów wywołane zmianami temperatury Ciekłokrystaliczne 69 7.1 Detektory z termoparą. Jeżeli styk dwóch przewodów wykonanych z różnych metali znajduje się w innej temperaturze niż końce przewodów to pojawia się siła termoelektryczna V (Rys. 7-3). Siła termoelektryczna jest proporcjonalna do różnicy temperatur T1-T2 i do różnicy tzw. współczynników Seebecka metalu A i metalu B. Zjawisko powstawania siły termoelektrycznej zostało odkryte przez niemieckiego fizyka Th.J. Seebecka w 1821roku. Rys. 7-3 Powstawanie siły termoelektrycznej. Różnica współczynników Seebecka, bedąca czułością termopary ma wartość kilku, kilkudziesięciu µV/K np. termopara typu J (żelazo-konstantant) posiada czułość 55 µV/K. Więcej danych na temat produkowanych termopar znajduje się tabeli poniżej: Tabela 7-1 Parametry typowych termopar. Materiały złącza Zakres pracy (°C) Platyna(6%)/RodPlatyna(30%)/Rod Czułość (μV/K) Oznaczenie 38 do 1800 7.7 B 0 do 2300 16 C Chromel-Konstantant 0 do 982 76 E Żelazo-Konstantant 0 do 760 55 J -184 do 1260 39 K Platyna(13%)/RodPlatyna 0 do 1593 11.7 R Platyna(10%)/RodPlatyna 0 do 1538 10.4 S -184 do 400 45 T Wolfram(5%)/RenWolfram(26%)/Ren Chromel-Alumel Miedź-Konstantant 70 Termopary charakteryzują się dobrą liniowością w szerokim zakresie temperatur. W detektorach termicznych termopara służy do pomiaru temperatury absorbera (Rys. 7-4a). W celu zwiększenia czułości detektora łączy się wiele termopar szeregowo(Rys. 7-4b). Sygnał napięciowy rośnie Nkrotnie. a) b) Rys. 7-4 Budowa detektora termicznego z jedną termoparą a) i wieloma termoparami b) Czułość napięciową detektora definiujemy następująco: gdzie: N-ilość termopar; SA-B-różnica współczynników Seebecka materiałów termopary; -emisyjność absorbera; Rth- rezystancja termiczna; th-termiczna stała czasowa; ω=2f ; f-częstotliwość modulacji promieniowania. 7.2 Detektory piroelektryczne. Piroelektryki są to kryształy wykazujące zmianę wypadkowego dipola elektrycznego pod wpływem zmian temperatury. Jeżeli kryształ jest przewodnikiem to nośniki ładunku elektrycznego utrzymują taki rozkład przestrzenny by zneutralizować pole elektryczne wywołane wewnętrznym momentem dipolowym. Kryształy piroelektryczne będące dobrymi izolatorami, pod wpływem zmian temperatury, są zdolne indukować siłę elektromotoryczną. Zjawisko to nazywane jest właśnie zjawiskiem piroelektrycznym. Przy wzroście temperatury wielkość polaryzacji maleje i zanika po przekroczeniu temperatury Tc zwanej temperaturą Curie. Detektory piroelektryczne buduje się z materiałów mających Tc rzędu kilkudziesięciu stopni Celsjusza. Do najpopularniejszych materiałów zaliczamy monokryształy trój glicyny w postaci tiosiarczanów (TGS) lub chromianów (TGC). Warto zaznaczyć że detektory piroelektryczne, w odróżnieniu od pozostałych detektorów termicznych, są czułe na szybkość zmian. Z tego powodu pracują one z modulowaną falą promieniowania. Detektor piroelektryczny swoją konstrukcją przypomina kondensator płaski. Powierzchnie prostopadłe do wektora polaryzacji spontanicznej pokrywa się warstwą metaliczną, tworząc w ten sposób elektrody detektora. Jeżeli wykorzystujemy absorpcję promieniowania na krysztale to oświetlamy jedną z powierzchni niepokrytych elektrodami (Rys. 7-5a) lub jedną z elektrod wykonujemy w wersji półprzepuszczalnej. Innym sposobem detekcji jest wykorzystanie absorpcji absorbera (Rys. 7-5b). 71 Promieniowanie podczerwone Piroelektryk Elektrody a) Promieniowanie podczerwone Absorber Piroelektryk Elektrody b) Rys. 7-5 Budowa detektora piroelektrycznego a) z absorpcją w krysztale, b) z absorberem Strumień ciepła generowany w absorberze przepływając do kryształu ogrzewa go. Zmiana temperatury kryształu w wyniku działania zjawiska piroelektrycznego powoduje indukowanie ładunków elektrycznych na elektrodach detektora. Fotoprąd detektora piroelektrycznego wyrażamy następująco: gdzie A to powierzchnia detektora; p to współczynnik piroelektryczny zdefiniowany jako to pochodna temperatury po czasie. ; Uwzględniając równanie (XX) otrzymamy: Ze wzoru (XX) określimy czułość prądową detektora: Jest ona proporcjonalna do ω w zakresie małych częstotliwości (ω<<1/th) a w zakresie dużych częstotliwości wynosi: 72 d – grubość detektora, cth-ciepło właściwe Pojemność cieplną zdefiniowaliśmy jako Cth =cthAd. Z punktu widzenia obwodu elektrycznego, detektor piroelektryczny jest kondensatorem o pojemności elektrycznej Ce i przewodności Ge. Iph C G U R I Rys. 7-6 Schemat zastępczy detektora piroelektrycznego obciążonego tranzystorem polowym. Jeżeli detektor zostanie obciążony impedancją dużo większą od jego własnej tak jak to pokazano na rysunku (Rys. 7-6) to czułość napięciowa detektora będzie dana równaniem: gdzie Ze jest impedancją detektora; Re=1/Ge jego rezystancja elektryczna a e=ReCe to elektryczna stała czasowa detektora; Typowe wartości stałych termicznych dla detektorów piroelektrycznych wynoszą od 10ms do 10s. Natomiast stała elektryczna, w zależności od rozmiarów, pojemności i rezystancji bocznikującej wynosi od 10-12 do nawet 100s. Od dołu stała czasowa ograniczona jest częstotliwością drgań sieci krystalicznej. Tak mała wartość stałej czasowej wskazuje na możliwość wykorzystania detektorów piroelektrycznych do detekcji szybkich sygnałów. Uzyskanie możliwie małej stałej czasowej jest możliwe poprzez zmniejszenie pojemności elektrycznej detektora (mniejsza powierzchnia, większa grubość) i obciążenie detektora małą rezystancją (typowo 50Ω). Pamiętajmy że zmniejszenie stałej czasowej skutkuje pogorszeniem czułości. 7.3 Bolometry. Bolometr jest to rezystor o bardzo małej pojemności cieplnej i dużym współczynniku temperaturowym. Wyróżniamy bolometry: Metalowe Termistorowe Półprzewodnikowe Kompozytowe 73 Na rysunku (Rys. 7-7) przedstawiono przekrój bolometru. W wyniku absorpcji promieniowania przez absorber następuje wzrost temperatury warstwy termo czułej a przez to zmiana jej rezystancji. Warstwa termo czułą wykonuje się z metalu, półprzewodnika lub odpowiedniego spieku (warstwa termistorowa). Warstwa termo czuła napylana jest na membranę wykonaną z materiału o dobrej izolacyjności cieplnej. Promieniowanie podczerwone Absorber Warstwa termoczuła Membrana Kontakty Podłoże Rys. 7-7 Przekrój bolometru. Zmiany względne rezystancji wywołane zmianą temperatury bolometru nazywamy współczynnikiem temperaturowym rezystancji: Bolometry metalowe mają dodatni, a bolometry półprzewodnikowe, ujemny współczynnik temperaturowy rezystancji. Parametr ten zależy, na ogół silnie, od temperatury czujnika. W celu kompensacji zmian współczynnika temperaturowego rezystancji, bolometry pracują w układach mostkowych (Rys. 7-8). Do mostka bierze się dwa bolometry o jednakowych parametrach z których jeden jest osłonięty przed promieniowaniem. 74 Rd R1 Uz R2 Rd-ΔRd R3 ΔU0 Rys. 7-8 Bolometr w układzie mostkowym. Jeżeli na bolometr nie pada promieniowanie to mostek jest w równowadze i przez R2 nie płynie prąd. Oświetlenie bolometru powoduje zmianę jego rezystancji i zachwianie równowagi mostka. Przez R2 zaczyna płynąć prąd wywołując spadek napięcia: 7.3.1 Bolometry metalowe. Na warstwę metaliczną wykorzystuje się nikiel, platynę, bizmut i antymon. Bolometry metalowe posiadają dodatni współczynnik temperaturowy rzędu 0,3%/°C. Grubość warstwy metalicznej jest rzędu 10-50nm i rezystancja jest rzędu 1-5MΩ. W temperaturze pokojowej wykrywalność bolometrów metalowych wynosi 10cmHz1/2/W a stała czasowa około 10ms. Bolometry metalowe wytwarza się jako elementy pojedyncze lub jako małe matryce. 7.3.2 Bolometry półprzewodnikowe. Bolometry półprzewodnikowe posiadają ujemny współczynnik temperaturowy. Ich rezystancja zmienia się ekspotencjalnie według zależności: R0 i b są stałymi. Zwiększenie detekcyjności detektora uzyskuje się poprzez obniżenie temperatury pracy a w dla bolometrów półprzewodników również poprzez zwiększenie domieszkowania. Wtedy zmienia się charakter przewodnictwa materiału i rezystancję określa wzór: gdzie a≈4. Współczynnik temperaturowy wynosi α(T)=-a/T i jest silnie zależny od temperatury. 75 Pierwsze bolometry budowano na bazie węgla. Następnie zaczęto stosować german domieszkowany galem. W zakresie dalekiej podczerwieni osiągi bolometrów germanowych porównywalne są do osiągów detektorów fotonowych. Aktualnie większym zainteresowaniem cieszą się bolometry krzemowe. Krzem ma mniejsze (ok. 5 razy) ciepło właściwe co pozwala uzyskać mniejszą pojemność cieplną detektora przy zachowaniu podobnych gabarytów. Ponadto, krzem jest łatwiejszy w obróbce. Bolometry krzemowe mają NEP rzędu 2,5 10-14W/Hz1/2. 7.3.3 Bolometry termistorowe. Termistory są to elementy, popularnie używane do pomiaru temperatury. Są to spieki wytwarzane z mieszanin różnych tlenków półprzewodnikowych (tlenek kobaltu, niklu i manganu). Prostopadłościenne płytki o powierzchni kilku mm2 i grubości kilkunastu mikrometrów montowane są do podłoża izolacyjnego. Powierzchnia aktywna, w celu zwiększenia absorpcji jest zaczerniana. Rezystywność termistorów wynosi od 250 do 2500 Ωcm. Termistory mają ujemny współczynnik temperaturowy wynoszący 2-4%/°C. Współczynnik temperaturowy nie jest stały i silnie zależy od temperatury (α≈T2) . 7.3.4 Bolometry kompozytowe. Uzyskanie dobrych parametrów absorpcyjnych (szczególnie dla fal milimetrowych i submilimetrowych) wymaga zastosowania bolometrów o grubościach rzędu kilku milimetrów. Spełnienie tego wymogu spowoduje wzrost pojemności cieplnej detektora a co za tym idzie spadek czułości. W celu pokonania tych trudności buduje się bolometry składające się z trzech części: absorbera, podłoża łączącego właściwy detektor temperatury z absorberem oraz bolometr o zmniejszonej pojemności cieplnej (Rys. 7-9). Promieniowanie podczerwone Absorber Podłoże szafirowe Czujnik Temperatury Rys. 7-9 Bolometr kompozytowy. Absorber wykonany jest z Bi i Cr-Ni o poczernionej powierzchni. Ma on dużą emisyjność w szerokim zakresie widmowym. Podłoże wykonane jest z materiału o dobrej przewodności cieplnej pozwalającej na praktycznie bezstratne przekazanie ciepła do czujnika. Efektywnie duża powierzchnia absorbera umożliwia na zastosowanie czujnika o mniejszej objętości a to pozwala na uzyskanie lepszych parametrów częstotliwościowych detektora. 7.3.5 Bolometry nadprzewodzące. Nadprzewodnictwo odkryte przez H.Kamerlingha-Onnesa w 1911 roku próbowano wykorzystać do budowy bolometrów. Ze względu na potrzebę uzyskania ekstremalnie niskich temperatur pracy 76 wykorzystanie tego zjawiska było początkowo bardzo utrudnione. Idę pracy bolometru nadprzewodzącego podano w latach 40-tych XXwieku. Gwałtowny rozwój technologii bolometrów nadprzewodzących nastąpił po odkryciu przez Mullera i Bednorza w 1986 roku nadprzewodników wysokotemperaturowych (ang. high temperature superconductors –HTSC). Wszystkie związki wykazujące wysokotemperaturowe przewodnictwo należą do grupy tzw. niewysyconych tlenowo perowskitów o podstawowej strukturze krystalicznej podobnej do CaTiO3. Główny wysiłek skierowano na związek YBaCuO. Ponieważ temperatura przejścia fazowego dla warstw YBaCuO wynosi ok.90K to temperatura ciekłego azotu (77K) jest dogodną temperaturą pracy bolometrów tego typu. Bolometry z HTSC na membranach Si3N4 mają osiągi porównywalne z detektorami HgCdTe dla długości fal w pobliżu 10µm. Bolometry z HTSC wymagają wysokiej jakości podłoży dielektrycznych pozwalających na wzrost warstw epitaksjalnych. Z wyjątkiem diamentu, większość odpowiednich na podłoża materiałów ma podobną pojemność cieplną w temperaturze 77-90K. Dlatego obniża się grubość podłoży. Wytrzymałość mechaniczna nie pozwala jednak na uzyskanie odpowiednio cienkich warstw. W latach 90-tych XX wieku zastosowano technikę mikromechaniki krzemowej do budowy bolometrów nadprzewodzących. Tak zbudowane detektory o powierzchni 140x105µm2 miały wykrywalność 8·109cm Hz1/2/W dla prądu polaryzacji 2µA i stałą czasową 105ms. Jednakże, ze względu na niższe osiągi w porównaniu z detektorami fotonowymi pracującymi z temperaturze ciekłego azotu zaniechano dalszych prac nad bolometrami nadprzewodzącymi dla zakresu 8-14µm. 7.4 Komórka Golaya. W 1947 roku M.J.E. Golay wynalazł termometr gazowy dzisiaj zwany komórką Golay’a. Idea działania tego detektora polega na pomiarze drgań membrany wywołanych rozszerzalnością gazu(Rys. 7-10 Budowa komórki Golay’a.Rys. 7-10). Gaz zamknięty w pewnej objętości zmienia ciśnienie w wyniku ogrzewania się. Ciśnienie gazu działa zarówno na ścianki detektora jak i membrany. Membrana jest cienka przez co odkształca się w wyniku działania ciśnienia. Promieniowanie podczerwone pV=nRT Absorber Gaz Membrana Rys. 7-10 Budowa komórki Golay’a. 77 Zmiana ciśnienia gazu w komórce wywołana jest zmianą temperatury absorbera. Jeżeli intensywność promieniowania oświetlającego detektor będzie modulowana to membrana będzie drgała zgodnie z częstotliwością modulacji. Amplituda drgań będzie proporcjonalna do intensywności promieniowania. Parametry widmowe zależą wyłącznie od widma absorpcji absorbera. W praktyce takie detektory są czułe w szerokim zakresie widmowym zaczynając od UV do setek µm. W ostatnich latach wraz z rozwojem technologii w zakresie THz rośnie również zainteresowanie budową komórek Golay dla tego zakresu. 78 8 Bibliografia Bielecki, Zbigniew, i Antoni Rogalski. Detekcja sygnałów optycznych. Warszawa: WNT, 2001. Booth, Kathryn, i Hill Steven. Optoelektronika. Warszawa: WKŁ, 2001. B. Ziętek Bernard, Lasery, Wydawnictwo UMK, Toruń, 2009 A. Dubik, Zastosowanie laserów, WNT Warszawa 1991. J. Kusiński, Lasery i ich zastosowanie w inżynierii materiałowej, Wydawnictwo Naukowe "Akapit", Kraków 2000. R. Domański, Promieniowanie laserowe - oddziaływanie na ciała stałe, WNT, Warszawa 1990. Techniki transmisji sygnałów http://wazniak.mimuw.edu.pl 79
