Elementy Elektronicz..

Elementy Elektroniczne – Pytania z Egzaminów (4)
1. W półprzewodniku domieszkowanym typu n liczba dziur:
a) Zależy od temperatury
b) Jest równa zero
c) Nie zależy od temperatury
d) Zależy od koncentracji domieszki
2. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
a) Rośnie wraz ze wzrostem prądu
b) Maleje wraz ze wzrostem prądu
c) Nie zależy od prądu
d) Rośnie wraz ze wzrostem napięcia
3. W pasmowym modelu przewodnictwa przerwa energetyczna pomiędzy pasmem
walencyjnym a przewodnictwa w metalach wynosi:
a) 0eV<Eg<1eV
b) 1eV<Eg<2eV
c) 2eV<Eg<3eV
d) Eg>3eV
𝒅𝑼
4. Zależność między prądem a napięciem I=C 𝒅𝒕 :
a) Jest błędne w odniesieniu do kondensatorów
b) Ma zastosowania tylko dla kondensatora idealnego
c) Ma zastosowania tylko dla tranzystora rzeczywistego
d) Ma zastosowania tylko dla napięć stałych
5. W idealnej diodzie ze złączem p+ -n spolaryzowanej przewodząco głównym prądem złącza
jest prąd związany z:
a) Dziurami wprowadzonymi z obszaru n do p
b) Dziurami wprowadzonymi z obszaru p do n
c) Elektronami wprowadzonymi z obszaru p do n
d) Elektronami wprowadzonymi z obszaru n do p
6. Narysuj poniżej charakterystykę pojemności złączowej Cj(U) diody Zenera.
7. Wykorzystując diody prostownicze i(lub) Zenera narysuj poniżej ogranicznik napięcia
(-5V,+3V).
8. O rezystorze można powiedzieć, że:
a) Jeśli charakterystyka prądowo-napięciowa jest nieliniowa to mówimy o nieliniowym
rezystorze
b) „dobry” rezystor to taki, który ma duży temperaturowy współczynnik rezystancji
c) Rezystancja rzeczywista zawiera się w zakresie rezystancja nominalna ± tolerancja
d) Rezystor rzeczywisty w obwodzie reprezentuje tylko rezystancję dla każdej częstotliwości
9. W podstawowej wersji dzielnika napięcia, dla stałej wartości źródła napięcia, wartość
napięcia wyjściowego:
a) Zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia i dwóch rezystancji
tworzących dzielnik
b) Zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia i nie zależy od wartości
dwóch rezystancji tworzących dzielnik
c) Nie zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia, natomiast zależy od
różnicy wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik
d) Zależy tylko od stosunku podziału wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik i nie
zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia
10. W układzie całkującym dla wejściowego napięcia prostokątnego:
a) Możemy otrzymać na wyjściu sygnał trójkątny
b) Możemy otrzymać na wyjściu sygnał prostokątny
c) Możemy otrzymać na wyjściu napięcie stałe
d) Nie możemy otrzymać żadnego sygnału z trzech powyższych
11. W temperaturze T=0K w półprzewodniku samoistnym:
a) Wszystkie dziury i elektrony znajdują się w paśmie walencyjnym
b) Niektóre dziury i wszystkie elektrony znajdują się w paśmie walencyjnym
c) Tylko elektrony znajdują się w paśmie przewodnictwa
d) Tylko dziury znajdują się w paśmie walencyjnym
12. Rekombinacja pary elektron-dziura w półprzewodniku samoistnym może zostać
przyspieszona przez:
a) Obniżenie temperatury
b) Naświetlenie promieniowaniem
c) Jonizację zderzeniową
d) Podwyższenie temperatury
13. W półprzewodniku samoistnym stosunek liczby elektronów do dziur:
a) Zależy od temperatury
b) Zależy od szerokości przerwy elektrycznej
c) Nie zależy od temperatury
d) Zależy od koncentracji domieszki
14. Pojemność dyfuzyjna jest pojemnością dominującą przy:
a) Spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu EB tranzystora bipolarnego
b) Przewodzącej diodzie prostowniczej
c) Zaporowo spolaryzowanej diodzie świecącej
d) Zaporowo spolaryzowanym złączu BC tranzystora bipolarnego
15. Dla półprzewodnika typu n poziom fermiego:
a) Przesuwa się w kierunku walencyjnego
b) Przesuwa się w kierunku poziomu przewodnictwa
c) Nie zmienia się
d) Zależy od temperatury
16. W tranzystorze JFET z kanałem typu p zmierzono prąd ID=16mA dla napięcia UGS=0V,
natomiast dla UDS=3V zanotowano prąd o połowy mniejszy. Ile wynosi IDSS i UP dla tego
tranzystora?
a) IDSS=8mA, UP=-2V
b) IDSS=16mA, UP=4V
c) IDSS=8mA, UP=-3V
d) IDSS=16mA, UP=-2V
17. W kondensatorze MOS z półprzewodnikiem typu n:
a) Dodatnie napięcie na bramce powoduje akumulację elektronów pod bramką
b) Ujemne napięcie powoduje zubożenie pod bramką
c) Wypadkowa pojemność kondensatora to równoległe połączenie pojemności tlenkowej
CDs i pojemności „półprzewodnika” Cs
d) W zakresie silnej inwersji szerokość warstwy zubożonej nie zwiększa się
18. O tranzystorze złączowym można powiedzieć, że:
a) Ze względu na nieliniowe ch-ki nie może być zastąpiony modelem liniowym dla małych
sygnałów
b) Ze względu na bardzo dużą rezystancję wejściową nadaje się do budowy wzmacniacza
napięciowego
c) Pojemność wejściowa to poj. złączowa zaporowo spolaryzowanego złącza p-n
d) Rezystancja wyjściowa rds w zakresie nasycenia jest mała
19. O złączu p-n można powiedzieć, że:
a) Najlepsze właściwości stabilizacyjne mają diody lawinowe przy napięciach ok. 8-9V
b) Przebicie lawinowe występuje w złączach słabo domieszkowanych przy małych
napięciach (do kilku woltów)
c) Silnie domieszkowane złącze metal-półprzewodnik ma własności prostujące
d) Rezystancja termiczna diody stabilizacyjnej określa jej własności stabilizacyjne
20. O złączu p-n można powiedzieć, że:
e) W złączu liniowym pole elektryczne warstwy zubożonej ma liniowy rozkład ?
f) … w warstwie zubożonej rośnie prąd w kierunku przewodzenia
?
g) Rezystancja obszaru bazy złącza nie wpływa na prąd przy polaryzacji przewodzącej
h) Szerokość warstwy zubożonej maleje wraz ze wzrostem napięcia polaryzującego złącze
przewodząco
21. Wraz ze wzrostem temperatury złącza krzemowego:
a) Prąd rewersyjny podwaja się na każde 10K
b) Rośnie napięcie przebicia Zenera
c) Napięcie maleje o 2mV/K przy stałym prądzie płynącym przez złącze
d) Napięcie na złączu nie zmienia się o ile jest ono spolaryzowane stałym prądem
22. Przedstaw graficznie, wykorzystując odpowiednią ch-kę sposób wyznaczenia prądu
nasycenia złącza.
23. Narysuj poniżej uproszczony schemat tranzystora bipolarnego npn (… i źródła napięcia) w
konfiguracji OB pracujący w stanie zatkania.
24. W tranzystorze MOSFET prąd drenu ID zależy:
a) Od pierwiastka napięcia UGS w liniowym zakresie pracy
b) Od kwadratu napięcia UGS w zakresie nasycenia
c) Liniowo od napięcia UGS w zakresie nasycenia
d) Od kwadratu napięcia UGS w zakresie pracy liniowej
25. Narysuj ch-ki przejściowe i wyjściowe tranzystora MOSFET wzbogacanego typu p.
Przejściowa
Wyjściowa
26. W tranzystorze MOSFET:
a) Gdy UGS jest nieco mniejsze (słaba inwersja ϕy< ϕs< 2ϕy) niż napięcie progowe nie płynie
żaden prąd drenu
b) Nawet małe wymiary kanału (W,L<3µm) nie mają wpływu na wartość napięcia
progowego
c) W zakresie nasycenia nieznacznie wzrasta prąd drenu z powodu skrócenia kanału
d) Napięcie polaryzujące podłoże UGS(bs) ma wpływ na napięcie progowe
27. Narysuj małosygnałowy model hybrydowy dla układu wspólnego emitera z opisem.
28. Ile wynosi transkonduktancja tranzystora bipolarnego pracującego w temperaturze
pokojowej w punkcie pracy UGS=5V i IC=10mA
a) 2mS
b) 20mS
c) 400mS
d) 0.04S
29. W tranzystorze bipolarnym:
a) W układzie WE pojemność Cb’e to pojemność dyfuzyjna zależna od stałego prądu emitera
b) Własności częstotliwościowe definiuje się przez częst. przenoszenia, przy której moduł
wzmocnienia prądowego wynosi 1
c) Dla WE napięcie Early’ego nie ma wpływu na konduktancję wyjściową
d) Częstotliwość graniczna w układzie WB zależy od pojemności Cb’e i Cb’c
30. Napięcie wyjściowe źródeł napięcia:
a) Maleje dla źródeł rzeczywistych gdy maleje rezystancja obciążenia
b) Maleje dla źródeł rzeczywistych gdy rośnie rezystancja obciążenia
c) Jest stałe dla idealnych źródeł napięcia gdy rośnie rezystancja obciążenia
d) Jest stałe dla idealnych źródeł napięcia gdy maleje rezystancja obciążenia
31. Dzielnik napięcia jako fragment obwodu elektrycznego składa się z:
a) Jednego rzeczywistego źródła napięcia i trzech rezystorów
b) Jednego idealnego źródła napięcia i jednego rezystora
c) Jednego idealnego źródła napięcia i przynajmniej dwóch rezystorów
d) Jednego rzeczywistego źródła napięcia i najwyżej trzech rezystorów
32. Stratność kondensatora rzeczywistego:
a) Zależy wprost proporcjonalnie od C i odwrotnie proporcjonalnie od R
b) Nie zależy od częstotliwości
c) Zależy odwrotnie proporcjonalnie od C
d) Zależy odwrotnie proporcjonalnie od R
33. W układzie różniczkującym, dla wejściowego napięcia prostokątnego:
a) Możemy otrzymać na wyjściu sygnał trójkątny
b) Możemy otrzymać na wyjściu sygnał prostokątny
c) Możemy otrzymać na wyjściu napięcie stałe
d) Nie możemy otrzymać żadnego sygnału z trzech powyższych
34. O cewce można powiedzieć, że:
a) W obwodzie pracującym impulsowo cewkę można traktować jak zwarcie
b) Napięcie na cewce jest proporcjonalne do szybkości zmian prądu
c) W obwodzie prądu stałego cewka stanowi zwarcie
d) W obwodzie prądu stałego cewka nie gromadzi energii w polu magnetycznym
35. W temperaturze T=0K w półprzewodniku samoistnym:
a) Wszystkie dziury i elektrony znajdują się w paśmie przewodnictwa
b) Niektóre elektrony i wszystkie dziury znajdują się w paśmie przewodnictwa
c) Tylko elektrony znajdują się w paśmie walencyjnym
d) Tylko dziury znajdują się w paśmie przewodnictwa
36. Termistor to:
a) Półprzewodnikowy, złączowy element o silnej zależności rezystancji od temperatury
b) Element, którego ch-ka rezystancyjno-temperaturowa może być funkcją rosnącą
c) Ze względu na budowę nie nadaje się do kompensacji termicznej w obwodach
d) Element, którego rezystancja może się nagle zmieniać w określonej temperaturze
37. Akronim SIT odnosi się do:
a) Tranzystora MOS z bramką polikrzemową
b) Tranzystor JFET z bramką zagrzebaną
c) Systemu krzemowego integrującego mikro.
d) Złącza metal-półprzewodnik