Metale Najczęstsze struktury krystaliczne : heksagonalna, objętościowo centrowana powierzchniowo centrowana listopad 2002 Slide 1 Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca f (E) Dla T = 0 K, 1 e E E F kT 1 f(E) = 1 E < EF 0 E > EF W T=0 zapełnione są wszystkie stany o energiach poniżej EF Dla dowolnej temperatury prawdopodobieństwo zapełnienia stanu o energii EF wynosi 0.5 f(E) = 0.5 dla E = EF listopad 2002 Slide 3 Gęstość stanów g(E)dE jest liczbą stanów w jednostce objętości mających energię od E do E+dE • • gęstość stanów g(E) dana jest wyrażeniem g (E ) 2pm 8 h 3 3 2 1 E 2 W 1cm3 miedzi liczba stanów o energiach od 5.0 eV do 5.5 eV wynosi: N ~ g(E)V ΔE 8 3 2p (9.1x10 31kg) 2 (6.63 x10 34 J .s )3 1 (1x10 6 m 3 )(5.25 x1.6 x10 19 J ) 2 x (0.5 x1.6 x10 19 J ) ~ 8 x10 21 listopad 2002 Slide 4 Funkcja rozkładu Fermiego - Diraca W danym stanie kwantowym nie może być dwu elektronów opisanych tym samym zestawem liczb kwantowych. W danym stanie mogą być dwa elektrony różniące się spinem, jeden o spinie +1/2 i drugie ze spinem -1/2. W konsekwencji w T=0 K elektrony obsadzają kolejno stany o coraz to wyższej energii aż do pewnej energii maksymalnej, którą nazywamy energią Fermiego EF. listopad 2002 Slide 5 Funkcja rozkładu Fermiego - Diraca Ilość elektronów w jednostce objętości zajmujących stany od energii E=0 do EF 16 2p m 3 / 2 3 / 2 n g ( E )dE EF 3 3h 0 EF skąd 2 h 3 EF n 8m p 2 3 Dla miedzi =8.4x1028 m-3, a energia Fermiego EF=7.0 eV listopad 2002 Slide 6 Wartość średnia energii elektronu w metalu EF 3 E g ( E ) E dE EF 5 0 Energia Fermiego dla miedzi: EF=7.0 eV, energia średnia 4.2 eV Dla T=300 K 3/2kT=0.039 eV Ze wzrostem temperatury elektrony z poziomów leżących poniżej EF przechodzić będą na wyższe poziomy energetyczne. Prawdopodobieństwo tego, że na poziomie o energii E znajduje się elektron określa funkcja rozkładu Fermiego-Diraca listopad 2002 Slide 7 Gęstość stanów zajętych elektronami no(E)dE jest ilością elektronów w jednostce objętości o energiach od E do E+dE w stanie równowagi w temperaturze T. 8 2pm no ( E ) g ( E ) f ( E ) h3 listopad 2002 3 2 E 1 2 e E E F kT 1 Slide 8 Gęstość stanów zajętych elektronami Ze wzrostem temperatury elektrony z poziomów leżących poniżej EF przechodzić będą na wyższe poziomy energetyczne. W procesie tym bierze udział jedynie niewielka ilość elektronów o energiach w pobliżu energii EF. Dla T=1200K 3/2kT=154.8meV Prędkość elektronów o energiach bliskich EF Energia potencjalna elektronu w metalu U=0 więc E K 1 mv F2 2 Dla miedzi EF 7eV czyli vF 1.6 106 m / s Dla porównania w gazie klasycznym dla T=1200K <v>=2.3x105 m/s listopad 2002 Slide 9 Struktura pasmowa ciał stałych Dwa atomy listopad 2002 Sześć atomów Ciało stałe N1023 atomów/cm3 Slide 10 Struktura pasmowa ciał stałych listopad 2002 Slide 11 Struktura pasmowa ciał stałych częściowo zapełnione pasmo pasma energetyczne Na listopad 2002 Sód - orbitale 1s, 2s and 2p są całkowicie zapełniane elektronami a 3s ma tylko jeden elektron. Pasmo powstałe ze stanów 3s będzie zapełnione do połowy. Dobry przewodnik - metal Slide 12 listopad 2002 Slide 13 Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca T>0 E funkcja Fermiego Pasmo przewodnictwa (częściowo zapełnione) EF E=0 Dla T = 0, wszystkie stany o energii poniżej energii Fermiego EF są zapełnione elektronami, a wszystkie o energiach powyżej EF są puste. Dowolnie małe pole elektryczne może wprawić w ruch elektrony z poziomu EF dostarczając im energii DE=eFEx prowadząc do bardzo dużego przewodnictwa elektrycznego. w temperaturach T > 0, elektrony są termicznie wzbudzane do stanów o energiach powyżej energii Fermiego. listopad 2002 Slide 14 Mg listopad 2002 Slide 15 Struktura pasmowa ciał stałych listopad 2002 Slide 16 Struktura pasmowa ciał stałych Przewodnik listopad 2002 Izolator Półprzewodnik Slide 17 Struktura pasmowa ciał stałych- półprzewodniki listopad 2002 Slide 18 Przewodnictwo samoistne ln() 1/T s 0s e listopad 2002 Eg / 2kT Slide 19 Przewodnictwo domieszkowe ln() d 0d e Ed / kT 1/T listopad 2002 Slide 20 listopad 2002 Slide 21 Zależność przewodnictwa od temperatury ln() s 0s e Eg / 2kT d 0d e Ed / kT 1/T listopad 2002 Slide 22