Spektroskopia Auger`a
advertisement
Spektroskopia Auger’a Proces Auger’a Zależność wydajności procesu Auger’a i emisji promieniowania X od liczby atomowej Zależność wydajności promieniowania X od energii wiązania elektronu Auger- pierwiastki Porównanie spektroskopii Auger’a i XPS LEED (1) Dyfrakcja elektronów powolnych Davisson i Germer: doświadczalne obserwacje zjawiska dyfrakcji elektronów – potwierdzenie równania Schrödingera i jednoczesna konfirmacja równania de Broglie’a. Energia cząstek dla długości fali 1Å elektron: 150 eV foton: 12,4 eV neutron: 0,08 eV LEED (2) LEED-przykłady (3) SEM Secondary Electron Microscopy Mikroskopia Elektronów Wtórnych Zdjęcie HREM kryształu CdTe SEM Zdjęcia struktur polimerowych Membrana polipropylenowa Krystality PANI na powierzchni membrany ISS Ion Scattering Spectroscopy Spektroskopia Rozpraszania Jonów Eo, Mo + + E1 , M o 1/ 2 M s2 E1 Mo 2 sin cos 2 Eo Mo Ms M o 2 Mo - He, Ne, Ar Eo - (200-5000)eV 2 ISS -czułość ISS- przykładowe wyniki SIMS Secondary Ion Mass Spectroscopy Spektroskopia Masowa Jonów Wtórnych + Ms Mo + Mo - He, Ne, Ar Eo - (200-10000)eV S CA exp I / B nM s X 2 gdzie: A=2,4, B=80, C- stała równa dla wszystkich pierwiastków, n- ilość zerwanych wiązań, X- elektroujemność. S zależy od; stopnia utlenienia, pracy wyjścia elektronu, potencjału jonizacji, masy jonów, kąta wybicia jonu, temperatury, energii jonów, efektów neutralizacyjnych, kinetyki jonizacji, stabilności wybitych jonów. ` SIMS- czułość S zależy od; stopnia utlenienia pracy wyjścia elektronu, potencjału jonizacji masy jonów kąta wybicia jonu Temperatury energii jonów efektów neutralizacyjnych kinetyki jonizacji stabilności wybitych jonów. 1,0 0,3 Sdet 0,1 0,03 0 10 26 M 100 130 Wykres zależność czułości detektora MS, Sdet, od masy atomowej dla jonów gazów szlachetnych oraz metali SIMS – przykłady wyników Analiza powierzchni Si (100) Porównanie wyników otrzymanych technikami SIMS i ISS (Powierzchnia Au zanieczyszczona Cr2O3) Analiza krzyształu Si(100) na głębokości 6 Å Porównanie technik ex situ xx 11
