Si krzem Eg=1,14 eV; λg=1,1 µm ZnSe selenek cynku Eg=2,60 eV; λg=0,47 µm CdS siarczek kadmu Eg=2,42 eV; λg=0,51 µm CdF2 fluorek kadmu Eg=7,0 eV; λg=0,18 µm Przejścia międzypasmowe proste skośne 1 Przerwa energetyczna w zależności od stałej sieci dla podwójnych półprzewodników III-V i II-VI. Linie oznaczają związki trójskładnikowe złożone z odpowiednich związków dwuskładnikowych. Mała zmiana stałej sieci pozwala uzyskiwać warstwy epitaksjalne o różnej przerwie energetycznej (np. Ga1-xAlxAs Eg od 1, 4 do 2,2 eV). Dioda świecąca - budowa 2 Dioda świecąca - charakterystyka www.fotonika.pl Diody z azotku galu (GaN) 3 4 5 6 Lasery półprzewodnikowe na złączu p-n Silnie domieszkowane złącze p-n (potencjał chemiczny – energia Fermiego wewnątrz pasm). Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dużo elektronów jest wstrzykiwane z obszaru n do stanów tuż nad krawędzią pasma przewodnictwa w obszarze p. Można osiągnąć inwersję obsadzeń stanów elektronowych (więcej elektronów na dnie pasma przewodnictwa niż przy wierzchołku pasma walencyjnego). Rekombinacja promienista z emisją wymuszoną może spowodować akcję laserową. Hetero-struktura złożona z cienkiej warstwy GaAs pomiędzy dwoma obszarami Ga1-xAlxAs. Elektrony wstrzykiwane do obszaru p są uwięzione w cienkiej warstwie GaAs przez barierę potencjału na granicy Ga1-xAlxAs typu p. Inwersję obsadzeń można osiągnąć przy znacznie niższej gęstości prądu niż w zwykłym złączu p-n. Ponadto GaAs ma większy współczynnik załamania niż Ga1-xAlxAs, zatem całkowite wewnętrzne odbicie pozwala utrzymywać fotony w warstwie GaAs, gdzie zachodzi akcja laserowa. 7