6. Tranzystor bipolarny - budowa, zasada działania, stany pracy, charakterystyki, przykład zastosowania Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów oraz przetwarzania informacji w postaci cyfrowej. Nazwa "tranzystor" pochodzi z połączenia słów transfer i rezystor. Nazwa bipolarne dotyczy tranzystorów, w których transport ładunków odbywa się za pośrednictwem obu rodzajów nośników jakie istnieją w półprzewodniku, tzn. elektronów i dziur. Półprzewodniki, w których na skutek nieregularności sieci krystalicznej przeważają nośniki typu dziurowego nazywa się półprzewodnikami typu p (niedomiarowymi), gdy przeważają nośniki elektronowe nazywa się je półprzewodnikami typu n (nadmiarowymi). 6.1. BUDOWA Tranzystor bipolarny powstaje zwykle w procesie dwukrotnej dyfuzji domieszek do półprzewodnika. Składa się z trzech sąsiadujących warstw półprzewodnika domieszkowanych naprzemiennie akceptorowo i donorowo; może być typu npn lub pnp. Elektrody tranzystora są dołączone do trzech jego części i nazywają się: emiter E, kolektor C i baza B. Rys. 6.1. Budowa tranzystora bipolarnego 6.2. ZASADA DZIAŁANIA Zasada działania tranzystora bipolarnego omówiona zostanie na podstawie tranzystora NPN: Rys. 6.2. Przepływ prądu w tranzystorze npn Przez złącze BE tranzystora npn przepływają nośniki większościowe ładunku, w tym przede wszystkim elektrony swobodne z emitera (typ n) do bazy. Również dziury z obszaru bazy (typ p) przepływają przez złącze do emitera. Prąd dziurowy jest znacznie mniejszy ze względu na mniejszą liczbę dziur, wynikającą z mniejszej objętości emitera. Mniejsza część elektronów swobodnych po osiągnięciu obszaru bazy wypełnia istniejące tam dziury, czyli podlega procesowi rekombinacji. Znacznie większa część elektronów swobodnych po znalezieniu się w obszarze bazy jest przyciągana przez kolektor i przepływa przez złącze BC spolaryzowane zaporowo, tak jak własne nośniki mniejszościowe bazy. Wypływające z emitera elektrony swobodne tworzą prąd emitera IE, który rozdziela się w obszarze bazy na mały prąd bazy IB i duży prąd kolektora IC. 6.3. STANY PRACY Tranzystor składa się z dwóch złączy PN, które mogą być spolaryzowane w kierunku zaporowym lub przewodzenia. W związku z tym można wyróżnić cztery stany pracy tranzystora. Najważniejszym z nich jest obszar pracy aktywnej, gdyż to właśnie w tym obszarze tranzystor wykazuje swoje właściwości wzmacniające, które są wykorzystywane praktycznie. Tranzystor pracujący w układach analogowych musi być w stanie aktywnym, a w układach cyfrowych - w stanach zatkania lub nasycenia. Rys. 6.3. Stany pracy tranzystora 6.4. CHARAKTERYSTKI Rys. 6.4. Charakterystyki tranzystora bipolarnego 6.5. PRZYKŁAD ZASTOSOWANIA Jako wzmacniacz – Tranzystor pracujący w stanie aktywnym może być wykorzystany do budowy układu będącego wzmacniaczem sygnałów elektrycznych. Małe zmiany prądu płynącego w obwodzie bazy powodują duże zmiany prądu płynącego w obwodzie kolektora. W zależności od konstrukcji układu można uzyskać wzmocnienie prądu, napięcia lub obu tych wielkości. Jako przełącznik – Przy pracy tranzystora jako przełącznika wykorzystuje się przejście między stanem nasyconym (tranzystor włączony) a zatkanym (tranzystor wyłączony). Taki tryb pracy tranzystora jest stosowany w niektórych układach impulsowych oraz cyfrowych. Źródła: Wykłady Mizana http://home.agh.edu.pl/~maziarz/LabPE/bipolarne.html <- Z A J E B I S T E opracowanie (AGH znowu) Elektronika dla elektryków - Andrzej Opolski WIKI – zastosowanie (bo było w skrócie i na temat)