Zadania1,2

Zadania kontrolne nr 1 z przedmiotu :
Układy elektroniczne I – Projekt
1. Dla podanego poniżej układu należy obliczyć : I1/Eg, I2/I1, U2/Eg
100 k
450 k
Eg
100 I1
1k
20 k
+
1k
5k
I2
I1
U2
2. Przekształcić niżej podane układy stosując twierdzenia Thevenina i Nortona
A
R1
A
R1
R2
R3
+
R3
Ig
R2
Eg
B
B
3. Obliczyć transmitancję K(s) = U(s)/E(s) dla poniższego układu
C
R1
R3
R2
+
U
E
g
4.Wyznaczyć graficznie punkt pracy tranzystora ,wykorzystując typowe charakterystyki
wejściowe i wyjściowe tranzystora bipolarnego, układu zasilania tranzystora z dwu
baterii.
5.Narysować rodzinę charakterystyk wyjściowych i charakterystykę przejściową
tranzystora IGFET typu wzbogacanego z kanałem typu n.
Wrocław, 01 października 2007 r.
Zadania kontrolne nr 2 z przedmiotu :
Układy elektroniczne I – Projekt
1. Wyznaczyć punkt pracy tranzystora pracującego w układzie pokazanym na rys.1 dla trzech
temperatur otoczenia : 15 0C, 25 0C i 50 0C. W obliczeniach zastosować linearyzowany
modelem Ebersa-Molla, którego parametry w temperaturze T0 = 250C są dane : UBE(T0) =
0,675 V, β(T0) = 300. Prąd zerowy złącza baza-kolektor wynosi IBC0(1500C) ≤ 15A.
Przyjąć c= 2mV/10C, γ = 5 x 10-3 1/10C, b = 140C
R1
R2
IB
IC
RC
UCE
UBE
+
-
ECC
RE
Rys.1. Schemat ideowy układu zasilania tranzystora
(R1 = 510 kΩ, R2 = 82 kΩ, RC = 6,8 kΩ, RE = 1 kΩ, ECC = 15 V).
2. Określić wpływ rozrzutu współczynnika wzmocnienia prądowego β na zmiany punktu
pracy tranzystora układu z rys.1. Należy założyć zmiany β w granicach βmin = 100, βmax= 900.
Napięcie baza-emiter tranzystora w temperaturze 250 C wynosi UBE = 0,675 V. Wpływ prądu
zerowego złącza baza-kolektor pominąć.
3. Obliczyć łączny wpływ zmian temperatury od Tmin = 15 0C do Tmax=500C i rozrzutu β od
βmin=100 do βmax = 900 na punkt pracy tranzystora w układzie z rys. 1 (wartości β podano dla
temperatury To = 25 0C). Napięcie UBE w tej temperaturze wynosi UBE(To) = 0,675 V. Wpływ
prądu zerowego złącza baza-kolektor pominąć.
4. Obliczyć rezystory potencjometrycznego układu zasilania ze sprzężeniem źródłowym
tranzystora JFET BF 245B o następujących parametrach:
6 mA ≤ IDSS ≤ 15 mA
1,9 V ≤ -UP ≤ 4,3 V
napięcie zasilana tranzystora: EDD = 24 V
punkt pracy tranzystora :
ID = 2 mA , UDS. = 6V
zmiany prądu drenu spowodowane rozrzutem produkcyjnym: ΔID ≤ 10% ID
5. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora MOSFET typu wzbogacanego, kanał typu n
(rys.2). Należy przyjąć, ze:
- spadek napięcia na rezystorze RS wynosi od 10 % do 30% napięcia zasilania EDD,
- natężenie prądu w dzielniku polaryzującym bramkę tranzystora (rezystory R1 i R2) jest
bardzo małe (rzędu kilku mikroamperów).
Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy: ID = 1 mA, UDS = 6 V, UGS = 2V.
Wartość rezystora RD jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i
wynosi 6,8 kΩ.
R1
RD
EDD
R2
RS
Rys. 2 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora MOSFET typu wzbogacanego,
kanał typu n.
6. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora unipolarnego złączowego (JFET) z
kanałem typu n (rys.3).
Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy: ID = 1 mA, UDS = 6 V, UGS = -2V.
Wartość rezystora RD jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i
wynosi 10 kΩ.
RD
EDD
RG
RS
Rys. 3 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora złączowego (JFET) z kanałem typu n.
Wrocław, 3.10.2007 r.