MP1-2010

advertisement
Mikrosensory półprzewodnikowe
dr hab. inż. Katarzyna Zakrzewska, prof. AGH
Katedra Elektroniki,
C-1, p.317, tel. 12 617 29 01, tel. kom. 601 51 33 35
[email protected]
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
1
Organizacja zajęć
• Wykład 30 h, Laboratorium 30 h
• Prowadzący laboratorium:
mgr inż. Zbigniew Sobków
• W laboratorium spotkamy:
dr Marię Lubecką
dr Adama Czaplę
i dr Adrzeja Brudnika
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
2
Warunki zaliczenia wykładu:



Obecność na wykładzie obowiązkowa
Dopuszczalna jest 1 nieobecność
nieusprawiedliwiona, powyżej 50% nb nawet
usprawiedliwionych przedmiot nie będzie
zaliczony
Przedstawienie prezentacji własnej
wybranego tematu w ustalonym terminie
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
3
Tematy wykładów:








Wprowadzenie do zagadnień mikrosensorów
półprzewodnikowych
Sensory (bio)chemiczne
Sensory temperatury
Sensory wielkości mechanicznych
Sensory ciśnienia przepływu
Sensory optyczne
Sensory promieniowania i detektory cząstek
Sensory magnetyczne
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
4
Tematy prezentacji studenckich:
1.
2.
3.
4.
5.
Sieci sensorowe
Elektroniczny „nos”
Sensory a zmieniający się klimat naszej
planety
Sensory w walce z terroryzmem
Dowolny (zaproponowany i uzgodniony z
wykładowcą) temat związany z wykładem
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
5
Organizacja zajęć: laboratorium
• Przykładowy temat: Automatyzacja stanowiska do badania
dynamicznych odpowiedzi czujników gazowych
• Wykonanie: indywidualna praca przy konsultacji z opiekunem
• Ważne terminy:
pokaz stanowiska pomiarowego: październik 2010
obowiązkowy punkt kontrolny: koniec listopada 2010
zakończenie zadania i pokaz działającej aplikacji: styczeń 2011
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
6
Przebieg pracy laboratoryjnej:
1.
2.
3.
4.
5.
Uczestnictwo w pokazie stanowiska pomiarowego
(obowiązkowe)
Konsultacje z opiekunami, ustalenie zakresu i sposobu
działania
Dodatkowe, przynajmniej jedno spotkanie w laboratorium
(inicjatywa wychodzi od studenta)
Obowiązkowy punkt kontrolny w listopadzie
Rozliczenie zadania (dokumentacja i pokaz działającej
aplikacji)
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
7
Laboratorium sensorów gazu, C-1, p.312
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
8
Stanowisko do badania dynamicznych
odpowiedzi sensorów gazu
1- Komora do badań oddziaływań gazu z sensorem;
2- Układ dozowania gazów; 3 – Układ pomiarowy i akwizycji danych
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
9
5
Zasada działania „nosa” elektronicznego
Brazilian
coffee
Smell
Brain
Odor
fingerprint
Data
Acquisition
treatment
Sensor
responses
Signal
treatment
Neurons
Odor fingerprint
comparison
RESULTS
Data
processing
Brazilian coffee
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
10
Elektroniczny nos
TRAINING MODE
1
2
Results matrix
Alpha MOS
software
REFERENCE
STANDARD SET
MODEL
8 .0 0 0
6 .0 0 0
R O 43
R S 37
R D 48
4 .0 0 0
R J 03
N J 03
2 .0 0 0
R A34
0 .0 0 0
NNJM
2 30 9
N D 48
N ON
4N3NA4145
N A34
-2 .0 0 0
N 0S63 7
NF
N M18
N J 28
R M09
R A15
R N 44
R M18
R J 28
R J 23
-4 .0 0 0
R F06
-6 .0 0 0
-8 .0 0 0
-1 0 .0 0
-7 .5 0
-5 .0 0
-2 .5 0
0 .0 0
2 .5 0
5 .0 0
7 .5 0
1 0 .0 0
PREDICTIVE MODE
Unknown samples analysis
Fingerprint Comparison
On line Identification
VALIDATION
PREDICTION
Mikrosensory półprzewodnikowe
3
4
Wykład 1, 2010/11
IDENTIFICATION OF GROUPS
QUALITATIVE / QUANTITATIVE
11
®
Aby zaliczyć przedmiot należy:


Zaliczyć pozytywnie laboratorium
Zaliczyć wykład
Ocena końcowa zależy od:
 Oceny z raportu
 Oceny w przedstawionej prezentacji
 Frekwencji na wykładzie
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
12
Definicje:
Sensorem nazywamy urządzenie, które
reaguje (odpowiada) na fizyczny lub
chemiczny czynnik stymulujący (taki jak
ciepło, światło, dźwięk, ciśnienie, pole
magnetyczne) i przekazuje wynikający z tego
oddziaływania sygnał. Sygnał ten może być
zmierzony lub użyty do sterowania. Sensor
odbiera sygnał wejściowy i zamienia go na
sygnał wyjściowy, przetwarza jeden rodzaj
energii w drugą.
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
13
Transducer (latin transducere – to lead across, polski przetwornik)
urządzenie, które przekazuje energię z jednego układu do drugiego
w tej samej lub innej formie
wielkość mierzona
(koncentracja,
aktywność, ciśnienie)
Otoczenie
Chemically
Interactive Layer
or Membrane CIM
Urządzenie
podstawowe
ΔT
Δi
Δm
ΔV
Δσ
Δn
Δf
ΔΦ wielkość pośrednia
Δφ
sygnał elektryczny lub
optyczny
Sposób pomiaru:
Δi – amperometryczny, ΔV-potencjometryczny,
półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
Δf Mikrosensory
– zmiana
częstotliwości (SAW),
Δφ – przesunięcie fazowe 14
Sensor chemiczny - schemat
Sygnał
wyjściowy np.
napięcie
Analizowana
próbka
Chemicznie czuła warstwa
W przetworniku: np. zmiana
pojemności, rezystancji
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
15
Rezystancyjny półprzewodnikowy
sensor gazu
MOS metal oxide semiconductor
Tlenki metali czułe
chemicznie: SnO2,
ZnO, TiO2
O2  2e '  2Oads

H 2  Oads
 H 2Odes  e'
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
16
R0
R  R  R o
powietrze
11000
9000
5000
powietrze
0
SnO2
Mikrosensory półprzewodnikowe
Sn0.9Ti0.1O2
T=723K
5000 ppm
1500 ppm
500 ppm H2
R()
7000
40
ppm H2
R
X
Ro
10000 ppm
Odpowiedź sensora
3000
1000
80
120
Czas (min)
Wykład 1, 2010/11
17
Mikrosensory
półprzewodnikowe – co to
znaczy?



Mikrosensory półprzewodnikowe to urządzenia
półprzewodnikowe, w których oddziaływania
prowadzące do detekcji sygnału zachodzą w
materiale półprzewodnikowym.
Krzem (Si) jest najważniejszym
półprzewodnikiem.
Istnieją dwa rodzaje mikrosensorów : w
półprzewodniku i na półprzewodniku
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
18
Mikrosensor ma przynajmniej jeden wymiar
fizyczny na poziomie submilimetrowym
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
19
Technologia mikrosensorów jest typowa dla IC
(CMOS) i technologia mikromechaniczna (MST,
MEMS)

Płytka Si z sensorami
Clean room
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
20
Historia mikroelektroniki
1948 – pierwszy tranzystor
1958 – pierwszy obwód scalony IC
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
21
Prawo Moore’a
Podwojenie liczby tranzystorów na IC co
18 miesięcy
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
22
Rewolucja informacyjna
„If this current rate of progress is
maintained it would be possible to buy for
€1000 a memory chip that has the same
capacity as a human brain by 2030 and a
memory chip that has the same brain
capacity as everyone in the whole world
combined by 2075”
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
23
Dzisiaj…
Nanotechnology
Micro-optics
(Optoelectronics)
Microsensors
Micromachines
MEMS
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
Biotechnology
24
TiO2 nanorurki jako sensory gazu
Hydrogen sensing using
titania nanotubes
Oomman K. Varghese, Dawei Gong,
Maggie Paulose, Keat G. Ong, Craig A.
Grimes*
The Pennsylvania State University,
Sensors and Actuators B 93 (2003) 338–344
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
25
Rodzaje sensorów – rodzaje
sygnałów
elektryczny
magnetyczny
mechaniczny
sensor
optyczny
termiczny
chemiczny
promieniowania
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
26
Klasyfikacja wg White’a
R. M. White, A sensor classification scheme, IEEE Trans.
Ultrason. Ferroelec. Freq. Contr., UFFC-34, 124 (1987)
Wielkość mierzona
•
•
•
•
Akustyczna (amplituda fali, faza, polaryzacja, widmo,
prędkość)
Biologiczna (biomasa: elementy, koncentracje, stany)
Chemiczna (związki: elementy, koncentracje, stany)
Elektryczna (ładunek, natężenie prądu, potencjał,
napięcie, pole elektryczne, przewodnictwo,
przenikalność)
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
27
•
•
•
•
•
Magnetyczna (pole magnetyczne: jego amplituda,
faza, polaryzacja, strumień magnetyczny,
przenikalność magn.)
Mechaniczna (położenie: liniowe lub kątowe, prędkość,
przyspieszenie, siła, naprężenie, ciśnienie,
odkształcenie, masa, gęstość, moment siły, przepływ,
szybkość transportu masy, nierówności powierzchni,
orientacja, sztywność, lepkość)
Optyczna (amplituda fali, faza, polaryzacja, widmo,
prędkość)
Radiacyjna (rodzaj, energia, natężenie)
Termiczna (temperatura, strumień ciepła, ciepło
właściwe, przewodnictwo termiczne)
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
28
Rynek sensorów w UK
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
29
Literatura





S.M.Sze, Semiconductor Sensors, John Wiley & Sons, Inc.,
1994
J.W. Gardner, V.K. Varadan, O.O. Awadelkarim,
Microsensors, MEMS and Smart Devices, John Wiley &
Sons, LTD, 2001
W. Göpel, J. Hesse, J.N. Zemel, Sensors – A
Comprehensive Survey, VCH Verlagsgesellschaft mbH,
1989
M. Gad-el-Hak, MEMS-Applications, CRC, Taylor&Francis,
2006
Y.B. Gianchandano, O.Tabata, H. Zappe, Comprehensive
Microsystems, Elsevier, 2008
Mikrosensory półprzewodnikowe
Wykład 1, 2010/11
30
Download